MOSFET의 전기적 특성 실험 레포트(예비,결과)

목차

1. 결과 레포트
2. 예비 레포트

본문내용

- 실험 결과 및 고찰 :
저번 실험에서는 이미터 팔로워 회로에서 입력 전압과 출력 전압 그리고 입력 저항과 출력 저항을 알아보는 실험을 진행하였다.

먼저 입력 전압은 실험 조건에서 100mV/10KHz로 주어진 상태였다. 따라서 위의 그림처럼 그대로 나온 것을 확인할 수 있었다.

다음으로 출력 전압의 파형이다. 이 전의 입력 전압 그래프와 거의 유사한 것으로 보이는데, 실제로 이미터 팔로워 회로는 전압 증폭은 되지 안고, 전류 증폭만 되기 때문에 전압은 똑같이 나와야 하는 것이 맞는 결과이다.

<중 략>

예비 레포트
- 실험날짜 : 2017년 10월 04일
- 실험제목 : MOSFET의 전기적 특성 1 – PMOS, NMOS의 특성 관찰
- 예비이론
MOSFET은 소스와 드레인의 영역 종류에 따라서 크게 NMOS와 PMOS로 나눌 수 있다. 만일 소스와 드레인이 N+ 영역인 MOSFET을 NMOS라고 하며gate 에 (+)전압과 소스에 (-) 전압이 걸리면 반전층인 N채널이 형성된다. 반대로 소스와 드레인이 P+ 영역이면 PMOS라고 하고, gate에 (-)전압과 소스에 (+) 전압이 걸리면 P채널이 형성된다. [1]

참고 자료

http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=3630
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?nav=&m_temp1=1788&id=189
https://ko.wikipedia.org/wiki/MOSFET
https://www.electrical4u.com/mosfet-characteristics/