중앙대학교 전자회로설계실습 4 MOSFET 소자 특성 측정 결과보고서 (A+)

목차

1. MOSFET 회로의 제작 및 측정
2. 가변에 따른 특성 곡선 측정
3. 결론

본문내용

- 본 설계실습에서 무엇을 하였으며 그 결과는 어떤가? 수치를 포함하여 요약한다.
MOSFET 소자의 특성을 Data sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 알아보았다. Data sheet를 참고 하면는 약 2.1V 이고, 실습 후 2.1229V로 측정된 것과 비교해 봤을 때 약 0.1229V의 오차를 가지고 있었다. 비록 오차가 있었지만, 거의 비슷한 값을 보였다.
- 설계실습계획서에서 설계한 회로와 실제 구현한 회로의 차이점을 비교하고 이에 대한 이유를 서술한다.
설계실습을 직접 진행하지는 못했지만, 교재에 있는 저항이나 MOSFET 내부의 저항이 실제 구현한 회로와는 차이가 있을것으로 생각된다.
- 설계실습이 잘 되었다고 생각하는가? 실습이 잘 되었거나 잘못 되었으면 그 이유를 생각하여 서술한다. 오차가 크지 않게 측정이 되었고, 교수님과, 조교님께서 직접 진행하신 실습이라 실습은 잘못된점 없이 성공적으로잘 되었다고 생각한다. 특성 곡선들을 직접 확인하며 값을 조정하며 의 값을 측정했을 때, 이론적으로, 실질적으로 MOSFET의 특성이 더 잘 이해되었다. 그렇기 때문에 설계실습이 잘 되었다고 생각된다.

참고 자료

없음