[A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

소개글

"[A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서4 MOSFET 소자 특성 측정"에 대한 내용입니다.

목차

1. 목적

2. 준비물 및 유의사항

3. 설계실습 계획서
3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)

본문내용

1. 목적
MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구한다.

2. 준비물 및 유의사항
DC Power Supply (2channel) : 1대
Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대
40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개
40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개
Bread board (빵판) : 1개
점퍼 와이어 키트 : 1개
MOSFET : 2N7000 : 1개
저항 1 MΩ 1/2W : 1개

3.1 MOSFET의 특성 parameter 계산
(A) Data Sheet를 이용하여 VT, kn을 구하여라. (사용한 data sheet 정보를 캡쳐하여 그림으로 포함) kn을 구할 때, 필요한 수식 및 수치를 자세히 서술하라. 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.

위의 Data sheet를 보면 Gate Threshold voltage V _{T`} = 2.1[V ](Typ.)이다.
V _{G} =5[V] 이므로 V _{GS} = 4.5[V],I_{GS} =75[mA]일 때의 V _{DS} `=0.14[V]`를 선택한다.

참고 자료

없음