충북대 전자회로실험 실험 2 MOSFET 특성 결과

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목차

1. 실험 결과
1) NMOS 전류-전압 특성 측정
2) PMOS 전류-전압 특성 측정

2. 비고 및 고찰

본문내용

1.1 NMOS 전류-전압 특성 측정
(1) <그림 2.9>와 같이 NMOS(CD4007) 전류-전압 특성 측정 회로를 구성하고, 드레인-소스 전압()을 로 고정하고, 게이트-소스 전압()를 ∼까지 변화시킨다. 전류계를 사용하여 드레인 전류()를 <표 2.3>에 기록하고 그래프를 그리시오.

1.2 PMOS 전류-전압 특성 측정
(1) <그림 2.12>와 같이 PMOS(CD4007) 전류-전압 특성 측정 회로를 구성하고, 소스-드레인 전압()을 로 고정하고, 소스-게이트 전압()를 ∼까지 변화시킨다. 전류계를 사용하여 드레인 전류()를 <표 2.5>에 기록하고 그래프를 그리시오.

(3) 소스-게이트 전압()을 로 고정하고, 소스-드레인 전압()를 ~까지 변화시킨다. 전류계를 사용하여 드레인 전류()를 <표 2.6>에 기록하고 그래프를 그리시오.

2. 비고 및 고찰
이번 실험은 MOSFET의 동작 모드 및 전류-전압 특성을 알아보는 실험이었다. 이번 실험을 하기 위해 가 를 넘어야만 가 흐른다는 것과 트라이오드 영역(), 포화 영역()에서의 계산식들을 알아야 했다. NMOS 1번 실험은 와 의 관계를 알아보는 실험이었다. 실험 결과는 소자에 이상이 있어 그래프가 잘못 나왔지만 올바른 소자들로 실험을 진행했다면 가 이하에서는 가 흐르지 않다가 를 넘어서자 가 증가했을 것이다.

참고 자료

없음