다이오드 실험 보고서

소개글

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목차

1. 실험 목적 및 이론
2. 실험 내용
3. 실험 결과
4. 질문과 답
5. 고찰

본문내용

〈실험 목적〉
→ 다이오드에 대하여 알아보고 다이오드의 동작원리를 이해한다.
→ 다이오드의 종류에 따른 문턱전압을 알아본다.

〈배경 및 이론〉
실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다. 진성반도체는 전류를 잘 흐르게 하지 못한다. 반도체 소자로 쓰기 위하여 불순물을 첨가하여 전도도를 증가시키며 이를 도핑이라고 한다.
P-N 접한 후 즉시 공핍 층이 형성이 된다. P-N 접한이 처음 생성되면, N영역의 자유영역 전자들이 정공이 많은 P영역으로 확산된다. 자유 전자들이 정공과 결합한 후에는 정공은 사라지며 전자들은 더 이상 자유롭지 못하게 된다. 따라서 두 속성의 전하 캐리어들(정공과 전자)이 모두 사라지고, P-N 접합 주변 지역은 마치 부도체인 것처럼 동작하며 이를 재결합이라고 한다. 하지만 공핍 층의 크기에는 한계가 있고 얼마 후에는 재결합이 끝나게 된다.

참고 자료

없음