[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습8 MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서

소개글

"[A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습8 MOSFET Current Mirror 설계"에 대한 내용입니다.

목차

3.1 단일 Current Mirror 설계
3.2 Cascode Current Mirror 설계

본문내용

* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.
그림 1의 회로와 같이 Current Source에서 로는 2N7000 (Fairchild)을 이용하며 인 경우, = 10mA인 전류원을 설계한다.

(A) 2N7000의 Data sheet로부터 을 구한다. 사용한 수식 및 수치를 자세히 적어서 제출한다.(Gate Threshold Voltage와 On-stage Drain Current 이용)

⇒Data Sheet를 보면 Threshold voltage (Typical value) 이고, Gate Threshold Voltage 일 때 이다. 이 값들을 이용하여 를 구하면 다음과 같다.
⇒

(B) = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해서 의 를 구하여라. 또한 를 만족시키기 위한 값을 구하여라.

⇒ 이므로
임을 구할 수 있다.

또한 이므로 이고 임을 구할 수 있다.

(C) 전류원으로 이용하기 위해서 은 Saturation 영역에서 동작해야 한다. 이때 이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하라. 이때, 의 최댓값을 구하여라. 값이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.

참고 자료

없음