양병도 전자회로실험 실험9 예비보고서

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 예비실험

본문내용

1. 실험 목적
(1) MOSFET의 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들일 수 있는 특성이 있다. 공통 게이트 증폭기의 특성을 이해하고 측정한다.
(2) MOSFET의 공통 드레인 증폭기는 출력 임피던스가 작아 부하 저항이 작아도 잘 구동할 수 있는 특성이 있다. 공통 드레인 증폭기의 특성을 이해하고 측정한다.

2, 이론
2.1 공통 게이트 증폭기
<그림 9.1>은 공통 게이트 증폭기 회로 및 소신호 등가회로를 보여준다. 공통 게이트 증폭기는 입력 단을 소스로, 출력 단을 드레인으로, 공통 단을 게이트로 해서 신호를 증폭한다. 공통 게이트 증폭기의 전압 이득(), 입력 저항(), 출력 저항()은 식(9.1)~(9.3)과 같다. 전압 이득은 공통 이미터 증폭기와 크기는 같고 위상은 반대이다. 입력 저항은 1/로 작다.

<그림 9.2>는 DC바이어스가 인가된 공통 게이트 증폭기이다. DC 전압원 과 저항 와 는 게이트에 DC 바이어스를 인가하고, DC 전압원 와 저항 는 드레인에 DC 바이어스를 인가한다.

참고 자료

없음