반도체 평탄화 공정(CMP) 발표 자료. 이론 2장 PPT 1장 발표 1장

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목차

1. 반도체 평탄화 공정(Chemical Mechanical Planarization: CMP)

2. CMP의 구성요소

3. CMP의 요구사항

4. 반도체 평탄화 공정(Chemical Mechanical Planarization: CMP)

5. 평탄화의 필요성

6. 평탄화 공정
1) ILD CMP
2) METAL CMP
3) STI CMP

본문내용

평탄화의 필요성
요철의 정도가 초점 심도를 벗어나게 되면 패턴의 묘사 전달이 어려워지게 된다.
디바이스의 미세화와 고밀도화가 진행되면서 표면의 구조가 점차 복잡하고 심화되어지며, 특히 다층 배선공정에 있어서는 단선이나 쇼트의 원인이 되기가 쉽다.

평탄화 공정 (ILD CMP)
<ILD 층간 절연막 CMP>
하부 패턴의 형상을 따라 증착 양상이 달라져 단차(Step Height)가 형성되며, 이렇게 발생된 단차를 제거하지 않고 후속 배선 공정을 진행할 경우, 노광의 한계를 가져오게 되는 것을 방지하기 위해, 각 층을 절연한 후 웨이퍼 전면에 걸친 평탄화 공정

참고 자료

없음

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