[전자회로실험] BJT를 활용한 음성증폭기 Term project 보고서

소개글

전자회로실험 과목의 Term Project로 BJT를 활용한 음성증폭기에 관한 최종보고서입니다.
BJT의 특성을 이용하여 50dB 이상의 전압 이득을 가지는 음성증폭기 회로를 구성하고 제작하였습니다.
팀원 역할 배분인 Role assignment만을 제외한 모든 내용이 들어있습니다.

목차

1. Abstract
2. Introduction
3. Theory and design
4. Simulation results
5. Experimental results and discussions
6. Conclusion
7. Role assignment for team members
8. References

본문내용

1. Abstract :
이번 학기에 배운 BJT의 특성을 이용하여 50dB 이상의 전압 이득을 가지는 음성증폭기 회로를 구성하고 제작한다.

2. Introduction :
주제 선정을 위해 조사하면서 각종 증폭기들이 이번 주제와 연관 깊은 것을 알 수 있었다. 그래서 우리는 일상 생활에서 가장 쉽게 접할 수 있는 음성증폭기를 주제로 선정하였다. CE Amp(Common Emitter Amplifier)와 push-pull amplifier를 이용한 음성증폭기 제작이 이번 프로젝트의 목표이다.

3. Theory and design :
- BJT (양극성 접합 트랜지스터) :
기본적으로 2개의 p-n 접합의 결합으로 구성되고, n 또는 p 영역이 2개의 p-n 접합에 공통되는 p-n-p형의 트랜지스터 또는 n-p-n형의 트랜지스터.
전극은 이미터, 베이스, 컬렉터라고 한다. p-n-p형의 n 영역과 n-p-n형의 p 영역은 베이스 영역이라고 한다. 트랜지스터에 전압이 가해지면 한 p-n 접합은 순방향으로 바이어스되고, 다른 p-n 접합은 역방향으로 바이어스 된다. 전류는 순방향으로 바이어스된 p-n 접합을 통해서 흐른다. 이때에 전자는 n형의 영역에서 베이스 영역으로 흘러 들어가고 정공(正孔)은 베이스 영역에서 n형의 영역으로 흘러 들어간다.
이 접합을 이미터-베이스 접합이라고 하는데, 이때에 이미터가 n형의 영역이다. 베이스로 들어가는 전자는 역방향으로 바이어스된 p-n 접합 쪽으로 확산된다.

참고 자료

https://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_2.html
https://alltransistors.com/adv/pdfview.php?doc=2n2907_2n2907a_1.pdf&dire=_philips
Sedra/Smith, “Microelectric Circuits”,2019
오윤석. "BJT를 이용한 증폭기 설계 및 제작." 국내석사학위논문 영남대학교 대학원, 2004. 경상북도
https://www.ieee.li/pdf/essay/cascode_amplifiers.pdf
https://www.circuitstoday.com/push-pull-amplifier
https://en.wikipedia.org/wiki/Push%E2%80%93pull_output