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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서

디그다
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최초 등록일
2023.03.27
최종 저작일
2022.05
19페이지/파일확장자 어도비 PDF
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소개글

올리는 자료들은 모두 연구원님의 우수보고서 모음에 들어간 보고서들 입니다.
요구 사항을 아주 꽉꽉 눌러 담았습니다.

목차

0. 실험 목적

1. 이론 및 실험 원리
1) 트랜지스터(Transistor)
2) 쌍극접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor)
3) 트랜지스터에서의 전류이득
4) 주요 용어 정리
5) 트랜지스터 명칭

2. 실험방법 및 결과
1) 장비 및 재료
2) NPN 바이어싱 측정
3) 이미터 접지회로 전류이득

3. 고찰
1) E-B 회로에 역방향 바이어스를 한 경우 컬렉터 전류에 미치는 영향은 무엇인가?
2) β를 측정하는 과정을 자세히 설명하여라.
3) β= 25 이고, IB = 100μA일 때, IC = 3 mA 인 트랜지스터가 있다. IB = 125μA일 때 IC값은 얼마인가? 또한, 반대로 IC = 2mA 일 때 IB값은 얼마인가?
4) 실제 2SC1815를 생산하고 있는 TOSHIBA사의 공칭값과 실험값을 비교해보았다.

4. 참고문헌

본문내용

실험 제목 : 쌍극접합 트랜지스터
실험 날짜 : 2022. 5. 10.(화)
실험 목적
▶쌍극접합 트랜지스터의 바이어스에 대해 이해하고, 이 미터-베이스 회로에서 전류에 대한 순방향과 역방향 바이어스의 효과를 측정할 수 있다.
▶이미터-베이스 회로에서 컬렉터 전류에 대한 순방향과 역방향 바이어스의 효과를 측정한다.

1. 이론 및 실험 원리
1.1 트랜지스터(Transistor)
- 트랜지스터는 재료에 따라 크게 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다.

트랜지스터의 장점과 단점
장점
● 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하다.
● 낮은 전압에서도 동작하며, 전력소모가 적다.
● 회로에 연결되는 단자의 수가 작다.
● 예열 시간 없이 전력이 공급되면 즉시 동작한다.
● 열을 많이 내지 않는다.
단점
● 열에 의한 민감도가 높다.

1.1 쌍극접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor)
- 트랜지스터는 반도체 다이오드의 기능이 확장된 것이다.
쌍극접합 트랜지스터
● PNP형 트랜지스터 : 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만들어진 트랜지스터이다.
● NPN형 트랜지스터 : 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만들어진 트랜지스터이다.
● 왼쪽의 웨이퍼는 이미터(emitter:방출기), 중간의 웨이퍼는 베이스(base), 오른쪽 웨이퍼는 컬렉터(collecter:수집기)이다.
● 트랜지스터를 바이어스시키기 위해 이미터-베이스(순방향) 구성의 다이오드와 컬렉터-베이스(역방향) 구성의 다이오드로 간주할 수 있다. ▶B-E : 일반 다이오드 기능
▶C-E : 종속 전류원 기능

① NPN 접합 트랜지스터의 바이어싱
● 이미터-베이스간은 VEE에 의해 순방향 또는 낮은 저항방향으로 바이어스된다.

참고 자료

유수복, 심상욱 「전자기초실험」, 태영문화사, 2019, pp111-123
TOSHIBA – 2SC1815 Datasheet (공개자료)
NAVER CAFE ‘트랜지스터 명칭’
https://cafe.naver.com/ata21/385?art=ZXh0ZXJuYWwtc2VydmljZS1uYXZlc
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NAVER CAFE ‘트랜지스터 전류증폭도’
https://blog.naver.com/ryukysun/110161307814
디그다
판매자 유형Silver개인인증

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