실험12_전자회로실험_예비보고서_소오스팔로워

마미

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본문내용

1. 제목
- 소오스 팔로워

2. 실험 절차
<소오스 팔로워>
1.실험회로 1에서 VoD 값을 12V, V 값을 OV, Voc 값을 6V로 두고, Roo저항값이 252인 경우 V0의 DC 값이 4V가 되도록 하는 Rs 값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(Yo, Vo, Vs) 및 전류(1p)를 구하고, 표에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 2.포화 영역에서 동작 하는지 확인하시오.
2.Vsig값을 OV, VoG 전압을 oV, 12v, 3V~gV는 500mv 간격으로 변화시키면서 Vo 의 DC 전압을 측정하여 [표 12-21에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오
3.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 gm값, 출력 저항 r0를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 소오스팔로워 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.

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