[ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 중첩의 원리, 테브난 정리

목차

1. 중첩의 원리
2. 테브넹의 정리

본문내용

실험 절차
[1] 중첩의 원리
① VR(가변저항기)을 제외한 회로를 브레드보드에 구성하라.
② 직류전원공급기로 두 전압원 중에서 12V를 공급하고 단자 a와 b 간 전압 V를 측정하라. (다른 전원은 0V로 놓으라).
③ 직류전원공급기로 두 전압원 중에서 30V를 공급하고 전압 Y를 측정하라(다른 전원은 0V 로 놓아라).
④ 직류전원공급기로 두 전압원을 동시에 공급하고 전압 V를 측정에 앞에서 측정한 두 전압의 합과 같음을 확인하라.

[2] 테브넹의 정리
① 두 단자 a와 b에 VR(가변저항기)을 연결하라.
② VR의 손잡이를 조정하여 단자 a와 b 간 전압 V가 a와 b 간의 개방회로전압(VR을 연결한기 전의 전압)의 절반이 되게 하는 VR의 저항치를 측정하라.
③ 이상의 측정 결과를 사용해 절선 내 회로의 테브넹 등가기전력과 등기저항을 구하고 이론에 의한 계산치(등가기전력 19.2V와 등가저항 60kΩ)와 비교하라.
④ 두 단자 a와 b에 VR 대신 20kΩ의 저항기를 연결해 단자 a와 b 간 전압 V를 측정하고 이론적인 계산치(4.8V)와 비교하라.

참고 자료

없음