[부산대 응용전기전자실험2] 사이리스터 예비보고서

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목차

1. 실험목적
2. 관련이론

본문내용

1. 실험목적
- Thyristor 의 동작원리에 대해 이해한다
2. 관련이론
1) 사이리스터의 구조
사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다.
반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다.
다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다.
역저지 사이리스터. 역도통 사이리스터, 트라이악(TRIAC)의 종류가 있다.
일반적으로 SCR(Silcon Controlled Rectifier Thyristor)라고 하는 3 단자 사이리스터를 말한다.
그림 1. 사이리스터의 구조
2) 사이리스터의 동작원리 (SCR)
사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로,
양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다
P 형 반도체로부터 게이트의 단자를 꺼내고 있는 것을 P 게이트, N 형 반도체로부터 게이트단자를 꺼내고 있는 것을 N 게이트라고 한다.
게이트에 일정한 전류를 통과시키면 양극과 음극간이 도통(turn on)한다.
도통을 정지 (Turn off)하기 위해서는, 양극과 음극간의 전류를 일정치 이하로 할 필요가 있다.
이 때, 도통시키기 위해 게이트로 흘려야 할 최소전류를 래칭전류, 도통(Turn On)된 이후에 On
상태를 유지하기 위한 최소전류를 유지전류라고 부른다.
도통되었다는 것은, 전기회로의 모든 성분이 연속적으로 양호한 접촉을 유지하고 있는 것을의미한다.

참고 자료

없음