논리회로 실험RAM, ROM, FSM설계(결과보고서)

소개글

논리회소 실험RAM, ROM, FSM설계(결과보고서)입니다.

목차

1. 예비조사 및 실험 내용의 이해
1.1 ROM
1.2 RAM
1.3 FSM ( Finite State Machine)

2. 실험내용 및 결과
2.1 ROM
2.1.1 source
2.1.2 source 분석
2.1.3 출력 파형
2.1.4 파형 분석
2.3 FSM model
2.3.1 source
2.3.2 출력 파형

3. 결과 검토 및 의견

본문내용

1. 예비조사 및 실험 내용의 이해
1.1 ROM
Read Only Memory의 약칭이다. 컴퓨터의 판독전용 기억장치를
말한다. 전원이 끊어져도 정보가 없어지지 않는 불휘발성(non-
volatile) 기억장치이다. 문자 패턴 발생기나 코드 변환기처럼 행하는
처리가 일정하고 다량으로 사용되는 것은 기억할 정보를 소자의 제조
와 동시에 설정하기 때문이다. 따라서 롬은 정보를 소자의 구조로서
기억하고 있으므로 바꾸어 쓸 수가 없는 것이다.
1.2 RAM
Random Access Memory의 약칭이다. 기록과 해독의 두 회로가
있어서 정보의 기록, 해독이 가능하고 컴퓨터나 주변 단말기기의
기억장치에 널리 쓰인다. 장점으로는 염가, 소형, 낮은 소비전력, 고속
호출, 비파괴성 해독 등이며, 단점으로는 전원이 나가면 기억되어
있던 모든 데이터가 지워진다는 점이다.
종류로는 전원이 연결된 상태에서 일정한 주기마다 리프레시
(refresh) 조작을 해주어야만 정보가 지워지지 않는 DRAM과 전원만
연결되어 있으면 정보가 지워지지 않는 SRAM이 있으며 고밀도 집적
회로를 사용하여 소형, 대용량화되고 있다.
이와 같이 전원이 끊어지면 정보가 상실되는 것을 휘발성 메모리
(volatile memory)라 하고, ROM(read only memory)과 같이 전원이
끊어져도 정보가 지워지지 않는 것을 비휘발성 메모리라 한다. 스태틱
램은 다른 집적회로와 접속하기 쉬운 이점이 있는 반면 다이내믹램과
같은 기억용량으로 하려면 3∼4배의 소자가 더 필요하므로 그만큼
복잡하고 가격도 비싸다.
1.3 FSM ( Finite State Machine)
- 가질 수 있는 상태의 수가 유한한 기계. 현재의 컴퓨터는 이 유한
상태 기계에 속한다.

참고 자료

없음