차지펌프의 구조와 구동원리_SOI를 이용한 고전압 특성연구, dickson charge pump, ISO MOSFET
- 최초 등록일
- 2008.04.03
- 최종 저작일
- 2008.04
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소개글
Voltage doubler
Cockcroft Walton voltage multiplier
Dickson charge pumps
Static CTS charge pumps
Advanced charge pump techniques
Technique to increase the efficiency of high voltage charge pumps (paper)
Using ISO-MOSFET and Dickson circuits
목차
Voltage doubler
Cockcroft Walton voltage multiplier
Dickson charge pumps
Static CTS charge pumps
Advanced charge pump techniques
Technique to increase the efficiency of high voltage charge pumps (paper)
Using ISO-MOSFET and Dickson circuits
본문내용
Technique to increase the efficiency of high voltage C.P.
SOI MOSFET (silicon on insulator)
전계적으로 주위의 영향을 받지 안음
소수케리어에 의한 기생 캐페시턴스 X
소스, 드레인 저항 감소
MOSFET 구조를 매우 얇게 구성 가능
고 집적, 소형화 가능
동작 속도 증가
구조 축소에 따른 단채널 효과 X
Jucntion depth 축소에 따른 저항 증가 X
제작 공정 축소
절연벽 & well이 필요 없음
Conclusion
Using two phase clock 4MHz
Input voltage 3.3V
Six stage charge pump
Load resistor 1Mohm
19.4V output & 79% efficiency complete
참고 자료
없음