Solar cell of compound semiconductor(복합물 반도체 태양전지)

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최초 등록일: 2008.04.24
최종 저작일: 2008.04; 28페이지/ MS 파워포인트; 가격 4,000원

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소개글

Solar cell of compound semiconductor의 종류와 원리 & 적용사례

본문내용

* 특징
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 족 찰코게나이드계 화합물 반도체 : CuInSe2

* 직접 천이형(direct transition) 에너지 밴드 구조.
* 광흡수계수 – 105 ㎝-1 (반도체 중 가장 높음)
* 두께 1~2㎛ 로도 고효율의 태양전지 제조 가능.
* 전기 광학적 안정성이 매우 우수,
태양전지의 광흡수 층으로 이상적.
* CuInSe2 (1.04eV)을 이상적인 밴드갭인 1.4eV를 맞추기 위해
In → Ga, Se → S 로 치환.
 CIS, CIGS 로 표기 .

┏ CuGaSe2 : 1.6eV┓
┗ CuGaS2 : 2.5eV┛

* CIS계 장점 - 장시간 신뢰성
(1988년 11월 미국 NREL의 장기 옥외시험결과 10년 이후에도
효율의 변화가 없음)

참고 자료

태양전지 원론, 각종 논문, 인터넷

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