전자회로실험) mosfet cs amplifier 예비레포트

*강*

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최초 등록일: 2008.11.26
최종 저작일: 2008.10; 6페이지/ 한컴오피스; 가격 1,000원

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예비내용 및 피스파이스와 분석

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◎ 실험목적
MOSFET 증폭기의 바이어스 방식을 공부하고, enhancement-mode MOSFET을 이용한 common source (CS) amplifier의 전압이득을 측정한다.

◎ 실험이론
JFET과 마찬가지로 MOSFET도 드레인 전류 가 게이트전압에 의해 제어되는 field-effect 트랜지스터이다. MOSFET은 제작되는 방식에 따라 depletion mode와 enhancement mode 트랜지스터로 구분된다. Depletion mode MOSFET은 게이트-소스 간 전압이 0V일 때도 channel이 형성되어 있으므로 드레인 전류가 흐를 수 있으며 threshold voltage가 (-) 값을 가지므로 normally ON device라고 할 수 있다. Enhancement mode MOSFET의 경우는 게이트-소스 간 전압이 threshold 전압 이상 형성되어야만 channel이 형성되어 드레인 전류가 흐를 수 있다.

1. MOSFET bias
MOSFET을 이용한 증폭기 회로의 바이어스 방법은 JFEP을 이용한 증폭기의 바이어스 방법과 같이 voltage divide 방식과 self-bias 방식의 두 가지가 있다. 그림 1의 회로는 n-channel JFET의 self-bias 방식을 보인 것이다.

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