MOCVD의 구성 및 원리

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최초 등록일: 2008.12.24
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박막 제조 공정 장비 중 하나인 MOCVD (Metal-Organic chemical vapor deposition)의 원리 및 구성에 대해서 설명한 자료 입니다.

본문내용

MOCVD (Metal-Organic chemical vapor deposition)
- 기본적으로 CVD공정으로써 CVD에 의한 박막 성장 시 precursor로써 MO-source를 중심으로
hydrides 나 reactant들을 사용하여 박막을 성장 하는 것

MOCVD 장점
반응압력을 약 수 torr에서 760torr즉 대기압 까지 자유로이 조절이 가능하다.
약 100A 까지의 극히 얇은 에피층의 성장이 가능하여 여러가지의 layer structure 및
band gap engineering이 가능하다.

MBE 및 기타의 다른성장 process에 비하여 박막의 성장속도가 매우 크다.
* 이상과 같은 여러가지 장점으로 인하여 QW,, LD, LED, solar cell 등의
분야에 매우 유용하게 이용되고 있다.

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