[전자회로실험]결과_5-7.클리핑 회로,클램핑 회로, 발광 다이오드 및 제어 다이오드

소개글

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"[기초전자회로실험 : BOYLESTAD, NASHELSKY / 인터비젼]을 기본으로 작성한 전자회로실험 보고서로 A+받은 레포트입니다. 여러가지 책을 참고문헌으로 사용했고, 거의 모든 실험에 대해 피스파이스 시뮬레이션 및 결과를 확인할 수 있습니다.

-클리퍼, 클램퍼의 기능과 동작을 익히고, 발광다이오드와 제너다이오드의 사용법과 특성을 익힌다."

목차

"1.실험결과 데이터
<클림핑 회로>
1)병렬 클리퍼
2)직렬 클리퍼
<클램핑 회로>
1)클램퍼
2)DC배터리를 가지는 클램퍼
<발광다이오드, 제너다이오드>
1)LED특성
2)제너다이오드 특성
3)제너다이오드 조정기
4)발광-제너 다이오드 조합
2.실험 결과 검터"

본문내용

1. 실험 결과 데이터
<클리핑 회로>
1) 병렬 클리퍼
-역방향 바이어스된 다이오드에서 +4V를 입력하면 다이오드는 개방회로처럼 동작하고, 저항 R에는 전류가 흐르지 않는다. 따라서 Vi=+4v값이 그대로 Vo의 전압값이 된다. (위 오실로스코프의 +출력 파형 분석을 통해서 확인 할 수 있다.) 또 -4V를 입력하면 다이오드는 쇼트회로처럼 동작한다.
하지만, 다이오드의 문턱전압값 VT와 1.5의 DC 전압값 E에 의해 Vo는 다음과 같이 표현된다.(위 오실로스코프의 -출력 파형 분석을 통해서 확인 할 수 있다.)

b. 1kHz, 8 Vpp (배터리방향 반대)

- 역방향 바이어스된 다이오드에서 +4V를 입력하면 다이오드는 개방회로처럼 동작하고, 저항 R에는 전류가 흐르지 않는다. 따라서 Vi=+4v값이 그대로 Vo의 전압값이 된다. (위 오실로스코프의 +출력 파형 분석을 통해서 확인 할 수 있다.) 또 -4V를 입력하면 다이오드는 쇼트회로처럼 동작한다.
하지만, 다이오드의 문턱전압값 VT와 1.5의 DC 전압값 E에 의해 Vo는 다음과 같이 표현된다.(위 오실로스코프의 -출력 파형 분석을 통해서 확인 할 수 있다.)

2) 병렬 클리퍼(계속)
회로도, 출력파형 1kHz, 4 Vpp
- Vi=+2v일때는 Si다이오드가 순방향 바이어스 되고 Ge다이오드는 역방향바이어스되어 Vo=Vsi=0.7V (Vsi:Si다이오드의 문턱전압)가 출력되고, Vi=-2v일때는 Si다이오드는 역방향, Ge다이오드는 순방향 바이오스가 되어 Vo=VGE=0.3V(VGE:Ge다이오드의 문턱전압)가 출력된다.

참고 자료

없음