"Si3N4" 검색결과 201-220 / 4,472건

• 

  <건축설비>급수설비 SI단위계, 표준기압, 연속의 법칙, 베르누이의 정리

  2 1 2 3 4 5 밀도, 비중량 , 비체적 , 비중은 무엇인가? SI단위계란? 연속의 법칙이란? 베르누이의 정리란? 01 SI단위계란? ... 체적유량 Q[m 3 /s]은 단위시간당 단면을 통과하는 유체의 체적, 질량유량 q m [kg/s] 은 단위시간당 단면을 통과하는 유체의 질량, q w [N/s] 은 단위시간당 단면을 ... 압력 : 단위 면적에 가해지는 힘의 크기 국제단위계 (SI) 에서 압력의 단위를 Pa( 파스칼 ) 을 사용하기로 약속 1Pa 는 1㎡ 의 면적에 1N( 뉴턴 ) 의 힘이 가해지는 압력

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.05.24

  다운로드 장바구니
• 

  전기전자공학 P-N 접합 다이오드 레포트

  3.554 -18 -18.04 0 5.0 2.07 8.67 4.188 -20 -20.00 0 Si 다이오드 순 방 향 역 방 향 전압[V] I [mA] 전압[V] 다이오드 다이오드 ... 결과 보고서 실험 09 P-N 접합 다이오드 제 출 일 : 과 목 명 : 전기전자공학 담당교수 : 학 교 : 학 과 : 학 번 : 이 름 : 실험1. P-N 접합다이오드 1. ... 3.18 1.639 -12 -12.02 0 3.5 1.98 4.73 2.389 -14 -14.08 0 4.0 2.01 6.08 3.025 -16 -16.02 0 4.5 2.04 7.25

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.03.25

  다운로드 장바구니
• 

  X선결정학 보고서 dspacing 을 이용한 XRD data 보정 후 격자상수 구하기 신소재공학과

  이는, 조건에 따라 2가지 공식을 사용해 구할 수 있는데, 첫 번째는 브래그법칙인 nλ=2dsin2Θ 이다. ... +x)} = {sqrt {0 ^{2} +0 ^{2} +4 ^{2}}} over {2sin(10.625+x)} 위와 같은 식을 계산하면 Inse-Si doped의 보정값은 x=0.0782 ... 40mA - Applied voltage : 40V 3.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

  다운로드 장바구니
• 

  교양화학 - 내용정리 레포트 및 예시문제 포함

  Si와 H의 원자량의 비를 구하라. → Si 원자 한 개의 질량/4*H 원자의 질량 = (87.45/12.55)*4 = 27.87 예제 1-2. ... 단 암모니아의 화학식은 NH3이다. → 82.24/17.76 = N 원자 한 개의 질량/3*H 원자의 질량, → 13.89 = N 원자 한 개의 질량/3*H 원자의 질량 문제 1-1 ... . 100g의 SiH4에는 87.45g의 Si와 12.55g의 H가 들어 있다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.14

  다운로드 장바구니
• 

  포항공과대학교 일반대학원 전자전기공학과 연구계획서

  사용한 인플루엔자 A(H1N1) 바이러스의 고감도 검출, Si-Nanonet 이온에 민감한 전계 효과 트랜지스터에서 파릴렌-H 감지 멤브레인의 전기적 특성 및 pH 응답, 수직 SONOS ... 이미징, Saddle Fin 기반 DRAM의 소프트 오류, NH3 검출을 위한 Au 장식 Si 나노와이어 FET 센서의 개선된 장기 응답, Silicon Nanonet BioFET를 ... 가변성과 랜덤 이산 도펀트의 아날로그 성능 지수 비교, FinFET 및 나노시트 FET의 단일 이벤트 과도 현상, 진공 전계 방출 트랜지스터 설계에서 일함수 고려, TSCIS를 사용한 4H-SiC

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2021.11.17

  다운로드 장바구니
• 

  Transparent Display에 적용될 수 있는 다양한 기술 논문 정리(한글)

  물질이 비정질임에도 불구하고, 전자의 높은 이동도는 통합 된 중금속 양이온의 전자 구조 (n-1)d10ns0 (n>=4)에 기인한다. ... 결과적으로, 전자 밀도 n ... 투명 Si 기반 TFT는 투명 AMOLED 디스플레이에 제한적으로 사용된다. 이전의 a-Si TFT 를 사용한 투명 OLED 디스플레이는 단지 20 %의 투과율로 보고되었다.

  리포트 | 12페이지 | 3,900원 | 등록일 2021.11.08

  다운로드 장바구니
• 

  2장 다이오드 특성 예비보고서

  순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선 (Si 다이오드) VR 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VD(mV) ID(mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... . - 실리콘(Si) 다이오드와 게르마늄(Ge) 다이오드 실리콘 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 결합한 PN접합 다이오드로 정방향에서는 낮은 저항으로서 작은 전압으로도 전류가 ... 10 (Ge 다이오드) VR 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 VD(mV) ID(mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 3.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.22 | 수정일 2022.03.28

  다운로드 장바구니
• 

  박막 굴절률 측정

  진공 속에서 빛의 속도를 c라고 하면 굴절률이 n인 매질에서는 속도가 이 된다. 4. ... 파장 SI SI test Wo3 450nm 1.38 1.32 1.23 550nm 1.37 1.30 1.22 650nm 1.36 1.28 1.19 SI test가 SI보다 투과율이 적은 ... 또한 Wo3의 투과율이 SI의 투과율보다 작은 것은 위와 같은 이유 때문인 것으로 보인다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.06.18 | 수정일 2022.07.15

  다운로드 장바구니
• 

  인하대 VLSI 설계 2주차 inverter

  1u 2u) M1 2 1 3 3 pch_tn w = 8 l = 2 M2 2 1 0 0 nch_tn w = 4 l = 2 .op .tran 1n 10u .probe .end eq \o ... well, Poly-Si, P+ diffusion, N+ diffusion, contact, Metal]로 총 6개의 Mask를 사용하여 그릴 수 있다. 1) N well: PMOS ... 이는 Gate를 장벽으로 하여 Diffusion부분이 Gate의 양쪽으로 자동 정렬되는 Self-aligned 방식을 따른다. 4) N+ diffusion: N+ diffusion을

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.15 | 수정일 2023.03.18

  다운로드 장바구니
• 

  삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

  완충용액은 부족한 부식액을 채워주는 역할. ②Si3N4를 wet 식각 부식액으로 HF를 쓰면 SiO2에 대한 HF의 selectivity가 떨어지기 때문에 쓰면 안됨. ... Si 에너지 밴드? 2. 에너지 밴드 갭? 3. 부도체, 반도체, 도체? 4. FET이란? 5. MOSFET이란? 6. MOSFET의 동작 원리? 7. ... 근데 실리콘은 결정구조가 sp3 혼성결합으로, 3s에 전자 1개, 3p에 전자 3개임 그래서 파울리 배타원리에 의해 총 전자 4개가 들어갈 수 있는 빈자리가 있고, 현상.

  자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

  다운로드 장바구니
• 

  FLASH MEMORY report

  하지만 CTF의 대표적인 구조인 SONOS 구조의 경우, erase 속도가 느리고 program된 전자를 보유하는 능력(retention)이 상대적으로 낮은 점이 문제이다. 4. ... Gate material은 Block layer의 Conduction Band와 Potential Barrier Gap을 크게 하는 방식으로 N-type Poly → P-type Poly ... 적용된 material에 따라 SONOS (Si-Oxide-Nitride-Oxide-Si), SANOS (Si-Alumina-Nitride-Oxide-Si), MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

  다운로드 장바구니
• 

  중학교 중국어교과 약식 수업지도안

  : N? m?iti?n j? di?n ? ? 4시 40분에 집에 가 : Si di?n si shi f?n . ... 수업의 흐름 1.도입 : 학습목표 제시, 선수학습 확인, 학습내용 예고 2.전개 : 시간표현 익히기(슈퍼마리오 게임), 학습지 3.정리 : 학습지에 학습 내용 정리, 확인 학습 평가 ... 들어있는 중국어 문장을 읽고 정확한 표현으로 구사하고 사탕을 가져간다. ▶ 학습 내용 정리(우수한 부분이나 수정할 내용에 대한 피드백을 제공) ▶ 오늘 익힌 표현들을 쓰기노트에 3번씩

  리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.09.22

  다운로드 장바구니
• 

  국제 단위계 SI unit의 기본 정의와 단위 정리

  기본단위 및 정의 1) 미터(m) 2) 킬로그램(kg) 3) 초(s) 4) 암페어(A) 5) 켈빈(K) 6) 몰(mol) 7) 칸델라(cd) 다. ... 유도단위 종류 1) SI유도단위 2) SI접두어 제2장 단위 정리 가. 길이 1) 미터법 2) 야드파운드법 3) 척관법 나. 질량 다. 시간 라. 열역학적 온도 마. ... =0.9144m 3) 척관법 리, 자, 간, 정 1리= 약 0.4km 1자= 30.30303cm= 1척= 1/6간= 10치= 10촌 1간= 181.1818cm= 6자= 6척= 1/60정

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.27 | 수정일 2020.04.06

  다운로드 장바구니
• 

  반도체에 대해서

  실리콘(Si) 또는 게르마늄은(Ge) 최외각 전자가 4개이다. ... 진성 반도체는 게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si) (진성 반도체) 을 깨끗하게 정제하여 이들의 결정처럼 4개의 가전자로 공유 결합하고 있는 반도체이다. ... 이러한 진성 반도체에 3족 원소나 5족 원소와 같은 불순물을 첨가하게 되면 공유결합을 이루는 전자들의 개수가 맞지 않아서 자유전자를 생성하게 된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.29

  다운로드 장바구니
• 

  반도체, Microwave Transistors

  Systems 3 Other Applications for Transistors 4 Wide Bandgap Transistors SiC and group III nitrides ( ... 9.8W/mm 12.1 W/mm output power at 8GHz 3.5GHz Si MOSFETs The prospects operating frequencies in the ... bandgap , breakdown field, electron low field mobility, electron peak velocity, thermal conductivity N-type

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.11

  다운로드 장바구니
• 

  A+받은 접합다이오드 예비레포트

  이와 반대로 3족 원소를 4족 원소인 실리콘에 도핑하는 경우 양전하를 가진 캐리어(정공)의 수가 증가하므로 실리콘의 전기 전도도가 증가한다. ... 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)로 만들어지고 있다. ... 이러한 5족 원소로 도핑된 실리콘을 N형 실리콘이라 한다. 대부분의 캐리어가 전자이며, 소수 캐리어는 정공(hole)이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.23

  다운로드 장바구니
• 

  (전자회로실험)접합다이오드의 특성 결과보고서

  데이터정리 1) Si 다이오드 측정 다이오드 측정 과정 V _{AK}I _{D}다이오드 저항 2 0.7V 10 mA70 ohm 3,4 -0.7V 0 ∞ 5 X X 순방향 : 42.03 ... Si 다이오드의 벌크 저항의 계산법은 다음과 같다. Si 다이오드에서는 먼저 장벽전압을 초과하는데 쓰이고 남은 전압 0.3V가 다이오드의 벌크저항에 걸린다. ... `I`= {10V-0.7V} over {2k OMEGA } `=`4.65mA# 3.

  리포트 | 6페이지 | 1,800원 | 등록일 2019.09.08 | 수정일 2021.08.03

  다운로드 장바구니
• 

  고려대학교 일반대학원 화학과 연구계획서

  (C3N) 연구, 고가 망간(IV)-하이드록소 종에 의한 지방족 및 방향족 C-H 결합 산화 연구, H4TTP 결정 형태의 분자동역학 연구, 안테나 반응기 쇼트키 나노다이오드의 표면 ... 저는 또한 편견 없는 광전기화학 물 분해를 가능하게 하는 모놀리식 통합 BiVO4/Si 직렬 장치 첨단 에너지 소재 연구, 고체 상태의 탄화된 유기 단결정에서 추출한 2차원 폴리아닐린 ... 아릴 니트레노이드 복합체로 가역적인 C-C 결합 절단 연구, 지속가능한 유기촉매반응에 의한 알킬 SuFEx 클릭 허브 및 4치환된 탄소중심 합성 연구, 2-메톡시티오페놀(S1)의 진동

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.29

  다운로드 장바구니
• 

  [컴퓨터로 하는 물리학실험] 다이오드1

  -배경 및 이론 ● 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 4족 원소로서 대표적인 반도체이다. 순수한 상태의 Si나 Ge는 진성반도체라고 불린다. ... 이러한 과정을 도핑이라고 한다. ● 진성 반도체에 미량의 3가 원소(붕소, 알루미늄등)을 첨가한 것을 P형 반도체라고 한다. ... 클릭해서 Voltage sensor를 연결한다. 4.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.24 | 수정일 2021.10.28

  다운로드 장바구니
• 

  강구조 재료 특성

  N •m kgf •m 모멘트 1kgf = 9.8 N 1tf = 1000 kgf = 9800 N = 9.8 KN N(Newton) 1kg (SI단위)의 질량에 1m/s2의 가속도를 일으키는 ... N/m2 = 9.8 kPa 1 kgf/mm2= 9.8Ⅹ104+2 N/m2 = 9.8 MPa 1 tf/cm2= 9.8Ⅹ103+4 N/m2 = 98 MPa 2.4Ⅹ103 kgf/cm2 ... = 2.4Ⅹ9.8 Ⅹ103+4 N/m2 = 235 MPa 2.1Ⅹ106 kgf/cm2 = 2.1Ⅹ9.8 Ⅹ106+4 N/m2 = 206 Gpa 1 tf •m = 9.8 kN •m

  리포트 | 44페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.25 | 수정일 2020.10.16

  다운로드 장바구니