"CdTe" 검색결과 161-180 / 318건

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  태양전지

  최근 기술 동향 Roll-to-roll 생산을 통해 기존 Si 이나 무기물 반도체 ( CdTe , CIGS 등 ) 보다 더 낮은 가격 플렉서블한 특성으로 다양한 형태 이를 기반으로

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.18 | 수정일 2016.10.19

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  Quantum dots for imaging

  series QDs, of zinc sulfide (ZnS), zinc–selenium (ZnSe), cadmium–selenium (CdSe), and cadmium–tellurium (CdTe

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.09.23

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  염료감응형 태양전지

  (초기 열화현상 없다) 박막 태양전지 중에서 가장 높은 변환효율을 기록 특징 CdTe는 대규모 전력용으로 사용을 위한 실증시험 중 파일럿 생산단계로 대량생산단계에 까지는 이르지 못함 ... no 특징 박막 최초 장난감등 이용 특징과 흐름(2) 화합물 Bulk GaAs InP 장점:높은 효율 (실리콘결정질 보다) 단점: 비싸다 특징 우주선등의 전원 공급용으로 제한 박막 CdTe

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.02.13

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  [태양전지][태양][전지][연료][태양전지 정의][태양전지 역사][연료전지][태양전지 개발동향]태양전지의 정의, 태양전지의 역사, 태양전지와 연료전지, 태양전지의 개발동향 분석

  이후로 태양전지는 점점 더 대면적화 하게 되고 생산단가도 계속 낮아지는 발전 경로를 거치게 된다. 1980 년대에 이르러 새로운 재료의 태양전지, 즉 CdTe, CuInSe2, TiO2

  리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.26

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  나노입자의 응집 방지

  (TOP:(C8H17)3P)을 200~300℃의 고온반응장 겸 배위자로 이용하여 원료인 유기금속화합물을 고온에서 직접 주입하여 직경분포가 좁은 반도체 나노입자 CdS, CdSe, CdTe를

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.12

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  About 태양전지

  단점은 재료의 가격이 매우 높아(Ga의 희소성 때문에) 상업적으로 실용화하기에 어렵고 As의 유해성이 지적되고 있다. ⑤ CdTe태양전지 CdTe는 band gap이 1.45eV로서 ... CdTe물성에 관한 일반적인 사항은 Zanio에 의해 정리된 바 있다. ... CdTe층의 합성방법에 상관없이 화학양론비에 맞는 막을 형성하고 CdCl2 용제를 표면에 입힌 후 400oC 정도에서 열처리하 면 대략 10%의 효율을 쉽게 얻을 수 있다고 알려져

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.23

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  Quantum Dot Synthesis

  양자점(quantum dot)은 나노크기의 Ⅱ-Ⅳ 반도체 입자(CdSe, CdTe, CdS 등)이 중심(core)을 이루는 입자이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.10.18 | 수정일 2022.03.28

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  나노 태양전지 (nano solar cell)

  효율을 내는 실리콘(Si)태양전지가 연구 1954년 고순도 실리콘을 생산 1970년 에너지 위기를 직면 상업화 가능성이 큰 태양전지를 요구 1980년대 새료운 재료의 태양전지 (CdTe ... 화합물계 적층형 (tandem) 태양전지 화합물/Ⅵ족 계열 이용목적 및 구조에 따른 분류 지상용 태양전지 결정형 : 단결정,다결정 실리콘 태양전지 박막형 : 비정질 실리콘,CdS,CdTe

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.03.14 | 수정일 2015.10.23

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  태양전지의 원리, 종류 및 태양전지의 기대효과

  최근 효율 향상과 함께 초기의 열화현상을 최소화할 수 있는 다중 접합 구조를 개발하여 일부 전력용으로 이용되기 시작했다. 4) 화합물(compound) 반도체 CdTe나 CuInSe2계의

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.01.26

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  Final essay

  is also one of the reasons whcling program ensuring that the solutions to climate change lie in the CdTe

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.16 | 수정일 2018.07.16

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  염료 감응 태양전지(DSSC)

  CdTe GaAs/Ge 1 generation : Single, Poly crystal silicon 2 generation : Thin film type silicon, compound

  리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.28

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  나노 태양전지의 종류와 발전방향

  실리콘 태양전지 - 비정질 실리콘 태양전지 (2) 화합물 반도체 - III-V족 화합물계 ☞ GaAs, InP, GaAlAs 등 II-VI족 화합물계 ☞ CuInSe2,CdS, CdTe등 ... : GaAs/Ge, GaAlAs/Si, InP/Si 등 - 지상용 태양전지 - 결정형 : 단결정, 다결정 실리콘 태양전지, GaAs/Si 등 - 박막형 : 비정질 실리콘 CdS, CdTe

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.01

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  반도체와 초전도체 ppt 파워포인트자료

  CdS PbS CdSe PbTe CdTe ZnS ZnSe ZnTe SiC AlAs AlSb BN GaAs GaP GaSb InAs InP InSb Ⅱ-Ⅵ Ⅳ-Ⅵ Ⅳ-Ⅳ Ⅲ-Ⅴ 원소

  리포트 | 49페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.04.17

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  광촉매 발표자료

  rutile ) ZnO ZrO 2 SnO 2 V 2 O 3 분 류 광 촉 매 고 체 TiO 2 , ZnO , Nb 2 O 5 , WO 3 - CdS , ZnS , CdSe , GaP , CdTe

  리포트 | 47페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.12.12

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  친환경 및 에너지절약 전기설비설계

  기판형 단결정 결정질Si 다결정 Si계 박막형 비정질Si 박막 태양전지 Ⅱ-Ⅵ족 : CdTe, CIS등 화합물반도체 Ⅲ-Ⅴ족 : GaAs, InP, InGaAs등 기타 : Quantum

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.16

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  태양전지

  소재의 가격이 매우 높아 상용화가 어렵고, As의 유해성이 지적되고 있음 CdTe 는 전기적, 광학적 특성이 적합하고 물질의 합성이 용이함 ..PAGE:14 태양전지 모듈 제조 방법

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.02.19

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  태양전지 원리 및 제조공정

  . - 박막형 Si 태양전지 : 박막형 Si 태양전지는 CdTe, CIGS형 태양전지와 함께 2세대 태양전지로 분류된다.

  리포트 | 49페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14

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  지진피해

  그러나 최근에는 카드뮴 텔러라이드(CdTe)와 카파인디움디이셀레나이드(CuInSe2 ; CIS) 반도체들이 활용되기도 한다. 이들은 박막형 태양전지로 구분되고 있다. ... 면적(㎠) 효율(%) 실리콘 단결정 4 23.3 100 15∼18 다결정 4 17.8 100 12∼14 비정질 1 11.5 1,000 5∼8 GaAs 0.25 25.7 4 17 CdTe

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.11

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  태양전지의 모든 것

  전지 ㆍ화합물 반도체 태양 전지 - Ⅲ-Ⅴ족 화합물계 태양 전지 : GaAs, InP, GaAlAs, GaInAs 등 - Ⅱ-Ⅵ족 화합물계 태양 전지 : CuInSe2, CdS, CdTe ... 4.1.2 이용목적 및 구조에 따른 분류 ㆍ지상용 태양 전지 - 결정형 : 단결정 태양 전지, 다결정 태양 전지, GaAs, Si 등 - 박막형 : 비정질 태양 전지, CdS, CdTe

  리포트 | 45페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.27

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  태양전지의 원리와 data분석

  위의 graph에서 볼 수 있듯이 적정한 값에 가장 가까운 것은 GaAs와 CdTe이므로, 최대 Ge Si InP GaAs CdTe AlSb ZnTe Se GaP CdS 0.67eV ... 1.11eV 1.35eV 1.43eV 1.58eV 1.6eV 2.07eV 2.18eV 2.26eV 2.42eV 효율을 얻을 수 있는 반도체로 적절한 재료는 GaAs와 CdTe이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.27

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