"갈륨비소" 검색결과 1-20 / 595건

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  갈륨비소

  GaAs(갈륨비소) 반도체 목차 1. 화합물 반도체란 ? 2. GaAs(갈륨비소) 반도체란 ? 3. GaAs(갈륨비소) 반도체의 장?단점 - 주제 선정이유 4. ... GaAs(갈륨비소) 반도체 응용 - 태양전지 5. GaAs(갈륨비소) 반도체 최신국내외동향 6. 앞으로의 전망 7. 참고문헌 1. ... 이 물질은 또한 갈륨 비소(gallium arsenide)의 완벽한 파트너이기도 하다.

  리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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  갈륨비소-탄소나노튜브 복합체 제작과 전계방출특성

  한국재료학회 임현철, 찬드라세카, 장동미, 안세용, 정혁, 김도진

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [결정구조]실리콘(Si)와 갈륨비소(GaAs)의 D-S Simulation

  1. Si의 D-S Camera 결과 Simulation Data (target: Cu Kα X-ray λ=1.542Å) 1 2 3 4 5 6 7 8 Line h k l (unmixed) 1 1 1 1 3 0.060 0.246 14.2 0.16 10.4 2 2 2 0 ..

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.30

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  다이오드 종류

  발광다이오드는 갈륨비소(GaAs), 갈륨비소인화물(GaAsP) 또는 갈륨인화물(GaP)를 사용하여 광자가 방출되는 현상을 극대화합니다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.11 | 수정일 2024.03.19

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  led

  LED는 주로 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨질소(GaN) 등으로 만들어지며, 어떤 화합물을 쓰느냐에 따라 LED 빛의 색상이 달라진다.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.06.30

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  다이오드에 대하여 설명하시오.

  소재로서는 갈륨인(인화갈륨: GaP)·갈륨비소 등의 3~5족 간의 화합물 반도체가 쓰이며, 이것들에 알루미늄 등을 첨가한 4원합금들도 발광 다이오드의 소재로서 각광을 받고 있다. ... 반도체로서는 규소·저마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소(비소화갈륨: GaAs)와 같이 전자이동도가 큰 화합물 반도체를 사용함으로써 밀리(mm)파의 영역까지 사용할 ... 그 구조도 p-n접합형, 쇼트키 배리어형 및 이종반도체의 접합으로 이루어지는 것 등이 있으며, 소재로서는 규소·갈륨비소 등의 결정체, 기타 각종 반도체가 광범위하게 이용되고 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.28

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  물리화학실험 실험 56 LED 분광광도계의 제작 예비

  이때 4개의 원자가전자는 모두 결합에 참여한다.1) n형 반도체(cathode)n형 반도체를 만들기 위해서는 P(인), As(비소), Sb(안티모니) 등의 15족 원소를 사용한다. ... 이러한 전도 전자는 결정 사이를 자유롭게 움직이며 전자를 제공한다. 2) p형 반도체(anode)p형 반도체를 만들기 위해서는 Al(알루미늄), Ga(갈륨), In(인듐) 등의 13족

  리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.06.16

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  반도체 공정기술의 기본요소가 되는 박막증착, 포토리소그래피 공정에 대하여 실험

  웨이퍼는 원재료에 따라 실리콘 게르마늄 등과 (Si), (Ge) 같은 단일원소 웨이퍼와갈륨비소 인듐인 리튬탄탈산염 (GaAs), (InP), (Lithium tantalate, LiTaO3

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.12

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  물리화학실험 실험 1112 나노결정 태양전지의 제작 예비

  이때 4개의 원자가전자는 모두 결합에 참여한다.(1) p형 반도체(anode)p형 반도체를 만들기 위해서는 Al(알루미늄), Ga(갈륨), In(인듐) 등의 13족 원소를 사용한다. ... 이러한 정공은 양전하 운반체로 작동하며 전도 전자를 제공받아 빈자리가 채워진다.(2) n형 반도체(cathode)n형 반도체를 만들기 위해서는 P(인), As(비소), Sb(안티모니

  리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.06.16

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  LED(Red, Yellow, Green, Blue, White)의 전압에 따른 전류 측정

  GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3A 및 5A족인 2원소 ... 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다. 한편, ②에서는 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. ... 인화갈륨&ref=y" 전력이 적게 들고 효율이 좋다.

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.12.04 | 수정일 2021.12.01

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  [보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서

  이론 및 실험 원리① P형 반도체- 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 ... P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. ② N형 반도체- 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.27

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  초고속망 시스템 관리 과제

  .- 기술적 특징은 다중모드 광섬유(multi-mode fibers)를 사용한 것과 갈륨비소(GaAs)로 제작된 LED (Light Emitting Diode)를 광원으로 사용한 것이다

  시험자료 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.11

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  [예비레포트] LED의 전기적 특성

  LED는 주로 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), 갈륨질소(GaN) 등으로 만들어지며, 어떤 화합물을 쓰느냐에 따라 LED 빛의 색깔이 달라진다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.31

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  [나노재료공학] 나노와이어 레포트

  갈륨 비소 반도체라는 것은 현재 모든 이동통신에 많이 쓰이는 반도체이다. ... 그래서 실리콘-게르마늄 반도체로 대체하려는 시도가 있는데, 아직 물성이 갈륨비소를 따라가지 못한다. ... 여러 반도체 나노와이어 중에서도 주기율표상 IV족에 속하는 실리콘 나노와이어와 게르마늄 나노와이어, 그리고 탄소 및 다이아몬드 나노와이어는, 갈륨 비소 반도체 나노와이어와 달리, 바이오

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.19

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  카이스트(한국과학기술원) KAIST 일반대학원 기계공학과 자기소개서 연구계획서

  냉각 기판을 질화 갈륨 장치에 통합하는 연구 등을 하고 싶습니다. ... 가지 진동 유형에 대한 차량 승차감의 실험적 평가 모델: 1차 승차감과 2차 승차감 분석 연구, 스트레인 감도 향상을 위한 다중 재료 소프트 센서 구조의 매개변수 분석 연구, 붕소 비소

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.07.07

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  태양광실험보고서

  정공수를 증가시키기 위해서는 불순물인 알루미늄, 붕소, 갈륨, 인듐 등의 3가 원소를 첨가해야 한다. ... 인, 비소, 안티모니와 같은 5가 원자를 정규위치에 있는 규소원자와 바꾸어 주면 불순물 원자와 규소원자가 4개의 공유결합을 이루고 1개의 전자가 남아돌아 자유롭게 원자 사이를 돌아다닌다

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.08.19

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  태양전지

  이 불순물은 비소(As), 인(P), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb)과 같이 다섯 개의 가전자를 가진 원자들이다. n형반도체를 만들기 위해서 사용되는 불순물을 도너라고 하며, 이 불순물에 ... 이들 3가의 불순물 원자는 세 개의 가전자를 갖는 알루미늄(Al), 붕소(B), 인듐(ln), 갈륨(Ga) 등을 예로 들 수 있다. 3가 원자는 전자 한 개를 끌어 당겨 빈 정공 한자를

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.13

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  반도체소재공정(Si IC/p-n diode/bipolar transistor/MESFET/MOSFET/FinFET/GAAFET)

  실리콘은 가열할 경우 실리콘의 표면이 증발하여도 순수한 실리콘으로 남지만, 갈륨비소의 경우 가열하면 나머지의 성분비는 1 대 1에서 벗어난다. ... 같은 반도체라도 갈륨비소(GaAs)와 같은 2개 원소로 구성된 화합물 반도체는 규칙적으로 정렬된 단결정을 만들 때에 원소들이 1 대 1의 비율이 아니라면 결함이 생기기 쉽다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.26

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  경희대학교 빅뱅에서 문명까지 A+ 수업 필기 총정리 - Chapter7 과학과 문명

  . > But 특정 불순물이 있을 경우 다름- 최외각 전자가 3개인 갈륨(Ga), 최외각 전자가 5개인 비소(As)가 아주 소량 불순물로 존재할 경우는 다르다.

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.05.15 | 수정일 2022.04.03

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  전자회로실험 실험2. 다이오드 예비 보고서

  (Ga), 비소(As), 인(P) 등의 화합물 반도체로 만들어진다. 2.5 포토 다이오드 PN 접합에 빛이 입사되면 전자와 정공 쌍이 생성되어 전류가 흐르고, 빛의 세기에 비례하는 ... 도핑된 PN 접합 다이오드의 한 형태이며, 제너항복을 이용하여 정전압을 얻기 위해 사용된다. 2.4 LED 다이오드에 순방향 바이어스가 인가되어 전류가 흐르면 빛을 내는 소자이며, 갈륨

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.06

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