"I-V커브" 검색결과 1-20 / 237건

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  [신소재공학실험]태양전지

  광원의 거리와 입사각에 따라 달라지는 I,V를 바탕으로 I-V커브, P-V커브를 그려 광전효과의 차이를 태양전지 매개변수로 분석한다. 2. 실험 이론 및 원리 가. ... I-V커브에서 확인하면 변의 길이가 V _{mp}, I _{mp}인 사각형의 면적과 변의 길이가 I _{sc}, V _{oc}인 사격형의 면적의 비로 생각할 수 있다. ... I-V커브를 보면 문턱전압을 지나면 급격히 전류가 증가하게 된다. 전류가 증가하면서 0이 되는 지점이 있다.

  리포트 | 12페이지 | 4,500원 | 등록일 2021.03.01

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  광운대학교 2020년도 물리전자2 전범위 족보

  쇼트키 p-type 그리기 (수업에서 n 그려줌) 4. 교수님이준 mos 붙여서 그리기 5. p-type mos 그리기 6. mosfet I-v 커브 그리기(GS　DS) 7. ... **mosfet p-type으로 cv커브 그리기 8. 교수님이준 material 붙여 그리기(tunnel barrier) 9. hetreo 정션 그리고 설명 ? ... recombination의 양부족 -> 효율 감소 12. p농도에 따른 광학적 특성 13. 용어정리 발광소자 14. =pn 정션 접합 설명 15.

  시험자료 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.18

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  실험8. 쌍극성 접합 트랜지스터 특성

  커브 트레이서에서 얻은 특성곡선을 그래프에 그려라 특성곡선을 비교하고 차이를 설명하라. I(C)는 초반 V(CE)가 올라갈 때 증가하였다가 이후 동일한 값을 가지게 된다. 2. ... 문헌 [전자회로 실험 11판] -PAGE \* MERGEFORMAT9- ... 트랜지스터의 특성곡선 결정 커브 트레이서를 사용하여 2N3904 트랜지스터의 컬렉터 특선곡선을 얻어라. I(B)에 대한 계단 함수로 10μA 사용하라.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  트랜지스터 레포트

  분석기의 프로그램을 통해 얻은 실습 데이터 V_D(V)와 각각의 V_G에 따른 I_D(A)값으로 Origin8프로그램을 통하여 I-V커브를 얻을 수 있었다. ... 우선 I-V커브를 만들고 각종 파라미터들을 이용하여 C_ox (F/ m^2), V_T(V), (saturation mobility) ( m^2/Vs), SS (V/dec), (field ... 이때 Output curve는 I_DS와 V_DS, Transfer curve는 I_DS와 V_GS의 데이터들의 커브로 만들어 나갔다.

  리포트 | 15페이지 | 5,500원 | 등록일 2020.01.05 | 수정일 2022.07.04

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  3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

  (V) (V) Id (mA) R (kΩ) 계산값 5 0 0 2.2 Simulation값 5 6.01623uV 6.1623nA 측정값 i. 그림 3-5 회로를 구성하라. ... 만약 다이오드 검사 기능이나 커브 트레이서를 사용할 수 없다면 Si = 0.7V , Ge = 0.3V로 가정한다. ... 그림 3-8의 회로를 구성하라. 저항 값을 측정하고 기록하라. h. 순서 1 에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 Vo와 VR의 이론적인 값을 계산하라. i.

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.11.30

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  웨어러블 디바이스 개론 ) 웨어러블 디바이스 핵심 기술 조사 - 시중에 판매되는 웨어러블 디바이스 하나 선택하여 적용된 핵심기술(센서,출력,전원,처리 등) 조사

  또한, 삼성 SDI는 에너지의 밀도를 높일 수 있는 ‘V-벤딩’이라는 기술을 사용하였다. ... 라이프스타일 제품으로서의 웨어러블 디바이스 기능 분석 -스마트 워치형 웨어러블 디바이스 중심으로-. 커뮤니케이션 디자인학연구, 82(0), 408-418. 임철수. (2017). ... 출처 I. 서론 ICT 기술이 발전하면서 다양한 종류의 웨어러블 디바이스가 제작 및 판매되며 나아가 우리 생활에 큰 역할을 하기 시작했다.

  리포트 | 5페이지 | 5,000원 (5%↓) 4750원 | 등록일 2023.09.19

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  전기전자공학실험-JFET 특성

  {D}는 일정하게 유지 - V _{DS}가 V _{Th}에 도달하면 항복영역 발생 - 0mA LEQ I _{D} LEQ I _{DSS} ㆍ I _{D} =I _{DSS} (1- {V ... 최대 I _{D}에 일찍 도달 - V _{GS}가 이미 V _{DS}보다 크다면 V _{DS}를 걸어주어도 I _{D} =0A - V _{GS}의 범위 0V SIM V _{P} ㆍSoruce ... (S)와 Drain(D) 사이의 바이어스 - I _{D}에서 I _{S}방향으로 전류가 흐르도록 V _{DS}인가 - 최대 I _{D}에 도달하면 V _{DS}가 증가하더라도 I _

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  전자회로실험 예비보고서 - BJT의 동작 대신호, 소신호 동작 ( A+ 퀄리티 보장 )

  |v _{i`n} ||v _{ou`t} ||A _{v} | V _{i`n`} =2V`DC3.80E-02 9.69E-02 2.55E+00 V` _{i`n} =4V`DC3.77E-02 ... 6.07E-02 1.61E+00 V _{i`n} =6V`DC3.88E-02 4.71E-02 1.22E+00 * f=1kHz 면 신호가 빨리 변하여 파형을 보기 힘들어서, f=10Hz ... 이를 수식 (5-1)의 컬렉터 전류식에 반영하면,} )} APPROX {V _{A}} over {I _{C}} 3.

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  [전자회로실험] 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 예비보고서(A+)

  `,`I _{B} `=`50 muA 6) 각 I _{B}에 대한 I _{C`} -V _{CE} 그래프 V _{RB} `=`3.3V`,`I _{B} `=`10 muA` - V _{RB ... } `=`6.6V`,`I _{B} `=`20 muA - V _{RB} `=`9.9V`,`I _{B} `=`30 muA - V _{RB} `=`13.2V`,`I _{B} `=`40 muA ... - V _{RB} `=`16.5V`,`I _{B} `=`50 muA beta _{dc} `=` {I _{C}} over {I _{B}} `=` {2.472mA} over {16.05

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.13

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  청운대학교 인천캠퍼스 IT기술의 이해와 동향 한도 금액에 따른 PC 세팅 과제

  ) 234,000 3.0GHz 헥사 (6) 코어 일반 사무 인텔코어 i5-8 세대 8600 ( 커피레이크 ) 264,500 3.1GHz 헥사 (6) 코어 게임 매니아 인텔코어 i7 ... 원 [ ] 153 만원 한도 금액에 따른 PC 세팅 제품명 가격 CPU 인텔코어 i5-8 세대 8600 ( 커피레이크 ) 264,450 원 RAM DDR4 8G PC4-19200 ... iBORA 100,430 5 페이즈 소켓 1151v2 2 개 최대 32GB 일반 사무 B360M-A iBORA 120,300 5 페이즈 소켓 1151v2 4 개 최대 64GB 게임

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.18

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  확률및 랜덤 프로세스 Random noise 분석 및 analysis 프로젝트 ( A+ 퀄리티 보장 )

  따라서 E(X _{i} )=0, V(X _{i} )=2.5이다. 마찬가지로 signal 1에서 E(X _{i} )=0, V(X _{i} )=2 임을 알 수있다. ... } (x)이고, 하단에 존재하는 커브는 f _{X|L} (x)이다. ... 관측은 랜덤변수 X _{i} (i=1,2,`...`,`300)들의 합이다. 그런데, 각 X _{i}는 구형파와 분산이 1.5인 가우시안 노이즈의 합이다.

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.13 | 수정일 2020.11.17

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  전자회로실험2_25장_공통 이미터 증폭기의 주파수 응답

  Cw,i(근사값) = 8pF Cw,o(근사값) = 4pF (b) 베타(beta)를 측정하는 계기인 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 트랜지스터의 베타값을 구하거나 이전의 ... 저주파 응답 측정 (a) 그림 25-1의 회로를 구성하라. 필요한 경우 그림 25-1의 여백에 저항의 실제값을 기록하라. VCC = 20V로 조정하라. ... 실험에서 측정한 베타값으로 빈칸을 채워라. -> 커브트레이서가 존재하지 않아 생략하였습니다.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.30

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  전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성

  실험 소요 장비 계측기 DMM, 커브 트레이서(가능하면) 부품 저항 ? ... 때문에 모든 BJT의 데이터시트에는 컬렉터 베이스 항복전압 V(BR)CEO를 적어둔다. ... 커브 트레이서를 사용하여 트랜지스터의 컬렉터 특성곡선을 그린다. 3. 트랜지스터 alpha 와 beta 값을 결정한다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  [A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - 클리퍼 회로, 클램퍼 회로

  만약 다이오드 점검 기능 또는 커브 트레이서를 사용할 수 없다면 V _{T} =0.7V로 가정하라. V _{T}(Si) = 0.533V 2. ... V _{c} = V _{i} - E + V _{T} = -4V ? ... Max : 1.92 V Min : 0V 1) 문턱 전압 DMM의 다이오드 점검기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 Si 다이오드의 문턱전압을 측정하라.

  리포트 | 26페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험5(클리퍼 회로)

  -v _{i} `+`V`+`v _{o} `=`0``,``v _{o} `=`v _{i} `-`V` 3. 입력 신호를 출력 위에 그리고 입력의 순간 값에 대한 출력을 결정한다. ... 커브 트레이서를 사용하여 Si과 Ge 다이오드의 문턱 전압을 결정하라. ... 그림 5-4의 수평축을 Vo =0 V로 보고, 순서 2(f)와 2(g)의 결과를 이용하여 예측되는 Vo 파형을 그려라. 순서 2(d)에 제공된 감도를 사용하라. I.

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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  전자회로실험 예비보고서 - BJT 의 특성 ( A+ 퀄리티 보장 )

  (c)다음 두 베이스 전류의 차이는 커브 트레이서의 눈금으로부터 ΔIB=IB3-IB2=10μA 이다. 5. ... SWEEP 하자 V _{CE} =6V` 일때 I _{C} =8.5임) 한편 이 그래프로부터, I _{B} (mu`A) I _{C} (mA) V _{CE} ``,V 0 10 -9.600E ... 그 결과는 아래와 같다. , I _{B} μA I _{C}, [ A ] V _{CE}, V 0 2.5 5 7.5 10 15 20 25 30 10 -9.600E-6 1.9025m 1.9651m

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.03

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  전기전자공학실험-공통 소스 트랜지스터 증폭기

  I _{DSS} `와 V _{P} `측정 특성 커브 트레이서가 있는 경우 이를 이용해 I _{DSS} `와 V _{P} `의 값을 구하라. ... . - 공통 소스 증폭기 회로도 - - 입출력 파형 - - 직류 해석 I _{D} =I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2} V _{GS} =- ... } =V _{DD} -V _{R _{D}} * I_{ DSS}와 V_{ P}의 측정 - I _{D} = {V _{DD} -V _{D}} over {R _{D}} - V _{P} =

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  조선대 신재생공학 기말 정리본 및 시험문제 체크 폐기물E~시스템 점검

  누설전류와 전압강하를 고려하지 않고 태양전지의 등가회로를 그리고 I-V특성곡선과 P-V 특성곡선을 그리고 출력전류(I), Fill factor과 효율 식을 나타내어라 시험 : IV특성곡선을 ... 평탄할 때에는 MPP위치를 식별하는데 어려움이 있고 MPP부근에서 진동이 발생 ② IncCond방법 (Incremrntal Conductance) - 방식: 전압의 증감에 따라 P-V커브의 ... 증가시켜 가면서 전력 변화분 TRIANGLE P를 측정하고 전력 증가 방향으로 동작점을 계속 수정함으로써 MPP에 도달하는 방법 장점:　간단하고 구현이 용이 단점 : 일사량이 적어 P-V커브가

  시험자료 | 25페이지 | 3,500원 | 등록일 2022.12.20

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  PEMFC 결과

  이상적인 v-j커브에서는 세가지 구간을 명확하게 찾을 수 있다. ... 직접 실험을 통해 얻은 그래프의 v-j커브에서 마지막 구간이 명확히 보이지 않지만 이상적인 커브와 비슷한 형태를 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. ... I-V curve, power curve eq \o\ac(○,1)reference eq \o\ac(○,2)cell 1 eq \o\ac(○,3)cell 2 eq \o\ac(○,4)cell

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.30

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  원신펌프실험

  동일 전압 하에 전류가 증가하면 동력(I*V)이 상승하기 때문이다. 실제로 축동력의 증가를 통해 이를 확인했다. ... BEP, OP 시스템 커브와, actual head 커브가 만나는 점이 OP(Operation Point)이다. ... 따라서, hp = z2 - z1 + f(l/D)(V2/2g) + KL(V2/2g) 이다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.09

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