"Metal chalcogenide" 검색결과 1-8 / 8건

• 

  이차 전지의 개요 및 나노 재료의 제조

  Ionic conductivity of chalcogenide glasses. in Chalcogenide Glasses 169–208 (Elsevier Ltd., 2013). doi ... 그림 1은 수년에 걸쳐 개발된 배터리 유형과 EV 및 HEV의 역사를 보여준다.4 LMO는 양한 비율의 Co, Ni, Mn와 같은 전이 금속 산화물(transition metal oxide ... 다공성 WS2@S/N-C 나노섬유 합성 개략도 그림 4는 연꽃 뿌리줄기형 WS2@S/N-co-doped 탄소 나노 섬유(WS2@S/N-C)를 제조하는 새로운 방법을 보여준다.

  리포트 | 10페이지 | 3,500원 | 등록일 2022.01.04

  다운로드 장바구니
• 

  카본 코팅된 니켈-코발트 황화물의 요크쉘 입자 제조 및 소듐 이온 배터리의 음극 소재 적용

  한국분말야금학회 서효영, 박기대

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.12.04

  다운로드 장바구니
• 

  Perovskite quantum dots 합성

  이러한 능력을 기반으로 CsPbX3 나노결정은 chalcogenide 기반의 양자점의 문제인 청색 및 녹색 스펙트럼 영역(410~530 nm)을 해결할 수 있음을 보인다. ... Ligand는 대표적으로 4가지가 존재한다. (1) Thiol : R-SH구조로 리간드 역할로 존재할 때 metal thiolate complexes을 생성하게 됩니다. ... 이때 합성된 NCs는 원심분리로 분리된다. ※ 160˚C 이하로 합성된 소형 NCs의 경우, 0˚C에서 원심분리 혹은 원액(ODE: {} ^{t} BuOM counting module과

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.08

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체 공정 A+] ITRS2005 정리 및 번역 레포트

  Phase change RAM(PRAM)은 비정질 상태와 결정 상태 사이를 전환할 때, chalcogenide glass의 저항 변화를 감지하는 디바이스이다. ... PRAM 디바이스는 1이나 0을 저장하기 위해 chalcogenide glass의 비정질과 결정 상태의 저항차이를 이용하는 메모리 소자이다. ... High-k 게이트 유전체와 Metal 게이트 전극의 구현 스케일링 목표와 게이트 누설 전류를 허용 가능한 한계까지 유지하기 위해서는 high-k의 게이트 유전체와 금속 게이트 전극을

  리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

  다운로드 장바구니
• 

  Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

  TF-RRAM에서는 chalcogenide 물질이 항상 비정질 상태로 유지되게 된다. TF-RRAM은 항상 비정질 상태를 유지하다가 전류펄스를 가하 ... TF-RRAM은 PRAM과 같이 chalcogenide 계열(Ge2Sb2Te5)의 물질을 이용하지만 결정질과 비정질간의 저항의 차이를 이용하는 것이 아니라 비정질 상태에서 전압크기에 ... PMCM의 특징 및 작동 원리 PMCM(Programmable Metallization Cell memory)은 근본적으로 현재의 모든 메모리 기술과 최신기술로부터 출발한다.PMCM은

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

  다운로드 장바구니
• 

  RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

  세 번째는 chalcogenide물질로 PRAM처럼 높은 전류를 흘려 상변화를 시키지 않고 비정질 구조를 유지하면서 Ovonic switching의 문턱 전압의 변화로 인한 저항 차이를 ... 에서는 transition metal을 doping한 perovskite 구조 물질의 reversibleinsulator-conductortransition 현상을 이용하여 비휘발성 ... filaments에 의한 모델과 기본적으로 charge의 trap/detrap과 주로 계면에서 schottkybarrier/width나 내부 전기장의 변화에 의해 저항 변화 원인을

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

  다운로드 장바구니
• 

  [유기소재] 광학소재

  투과 또는 반사된 광의 명안, 색상등을 조절 광투과 재료 - 특정 파장대의 빛 만을 선택적으로 투과 - 유전율이 서로 다른 매질 경계면에서의 반사와 투과 - fluoride유리 , chalcogenide유리 ... , heavy metal oxide유리 플라스틱렌즈 - 성형이 용이하고 가벼우며 깨지지 않아 안경 렌즈로서 쓰이는 외에 넓은 분야의 용도 - 안경렌즈 : 카보네이트기로 가교된 메타크릴레이트 ... 빛 에너지로 변환하 는 발광소자를 위한 발광재료와 그역의 기능을 행하는 재료 발광재료 종류 : 디스플레이 소자 - 액정표시소자 (LCD) 발광다이오드 (LED) 액정(liquid crystal

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.30

  다운로드 장바구니
• 

  [유기소재] 광학소재

  대표적인 것들로는 fluoride 유리, chalcogenide 유리, heavy metal oxide 유리 등을 들 수 있다 플라스틱 렌즈-플라스틱 렌즈는 성형이 용이하고 가벼우며 ... 현재 사용되고 있는 TN, STN, TFT, SSFLC, PDLD, 그리고 상전이 방식은 모두 전기장을 이용하며 DS(dynamic scattering)모드만 전류를 이용하는 장치이다

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.30

  다운로드 장바구니