"cvd" 검색결과 61-80 / 2,348건

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  전자회로실험2_13장 JFET_

  VGS = -1.8487V, VD = 13.459V, VS= 1.849V, VDS= 11.611V, VG= 13.88uV VGS,VD,VS,VDS,VG의 값을 측정하고 아래의 식을 ... /gusehd2512/220971392265" https://blog.naver.com/gusehd2512/220971392265 [2] 전자회로실험 교재 예비보고서 전자회로실험2 ... 6.313V 6.59V 4.38 V(D) 11.21V 11.178V 1.15 V(S) 4.738V 4.5868V 3.19 순서 (e)에서 측정한 전압으로부터 I(D_Q)를 계산하고 (c)

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.30

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  전자회로실험2_21장_다단 증폭기 RC 결합기

  (c) 직류 바이어스 전압을 측정하라. ... →VD (시뮬값) = 3.46V 드레인 전류 ID의 값을 계산하라. 이 값은 VGS=0V일 때의 드레인 전류이므로 IDSS와 같다. ... 순서 4(a)에서 계산한 입력 임피던스를 순서 4(c)에서 전압 측정데이터로부터 구한 입력 임피던스와 비교하라. 4(a) 계산값 4(c) 시뮬레이션값 1MΩ 0.99MΩ 순서 4(b

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.30

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  실습8. MOSFET Current Mirror 설계_에이쁠_예비보고서

  한편, IREF=(VDD-VD4)/R1이므로 R1=(10-4.82)/10mA=518옴 (B) (C) Simulation Simulation VGS2 2.346V VO 4.8764V ... 0.104*(VGS-Vt)2 이므로 Vt=2.1V를 대입하면 ∴ VGS=2.41V 또한 VGS=10V-R1*10mA이므로 R1=(10-2.41)/10-2=759옴 ∴ R1=759옴 (C) ... RL의 최대값 = 969옴 RL이 969옴보다 작다면, M1이 Saturation Mode에서 작동하기엔 문제없겠지만, RL이 작아질수록 M1의 VDS가 커질 것이고, 그에 따른 channel

  시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.04

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  동역학 텀프로젝트

  /sin(vb); %속도 vD/B vD=(vB.*sin(va))-sin(vb);%속도 vD %vDB=l*wBD이므로 wDB=vDB. ... /(l*cos(anD)); %BD의 각 가속도 aD=-(b*(wAB)^2*cos(anB)+(((wDB).^2).*l).*cos(anD)+((aDB).*l). ... =vB+vD/B를 이용하여 정현법칙을 사용해 vD/B를 구한다. vb=(90*pi)/180-anD; va=(2*pi)-vb-anvB; vDB=(vB.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.09.20

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  일반물리실험_강체의 공간 운동_검토 및 토의

  강체의 운동으로부터 역학적 에너지보존법칙이 상립함을 확인하고 병진운동과 회전운동을 이해하는 실험으로, 공기 저항의 마찰로 인해 에너지가 분산되는 등의 오차를 고려하면 A, B, C, ... H의 높이는 강체가 겨우 한 바퀴를 돌 정도로 하여 구심력과 중력이 같도록 하는 높이를 찾아준다. x축 거리를 재어 (1)vd=..식에 대입래 이론 값을 구하고 (2)vd=== 포사체 ... 분석 및 이해 쇠 공과 플라스틱 공으로 한 두 실험 모두 크기가 비슷한 강체여서 y축 거리와 이론값의 vd와 실험값 모두 거의 같게 나왔다.

  리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.02

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  전자회로실험 21장 공통 다단 증폭기 RC 결합 레포트

  출력 임피던스의 예상 값은 다음과 같다. 2.2KΩ c. 1MΩ 저항 를 주파수 에서 실효값 =10mV를 갖는 입력 신호와 직렬로 연결하고, 을 측정하라. 5 mV * 1 M/(10 ... 공통 소스 회로의 직류 바이어스 시뮬레이션 결과 Vd1 = 17V VG1 = 11.4uV Vs1 = 0.4V Vd2 = 17.7V V G2 = 11.4uV Vs2 = 0.4V 회로도를 ... VG1 = 1.098V VS1 = 1.6V VD1 = 2.2V VGS1 = 0.4v VG2 = 2.2V VS2 = 1.59V VD2 = 2V VGS2 = 0.6v 직류 바이어스 조건에서

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29

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  Catalytic growth of MWCNT using CVD and its application as opto‑electronic humidity sensor

  C. Yadav ... at 750 °C. ... changing the substrates.

  논문 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.24

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  [A+] 전자회로설계실습 8차 예비보고서

  VD4 = 4.82 V이다. ... VGS2 = VG2 – VS2 = VG2 = VD2 = 2.41 V = VS4 VGS4 = VG4 – VS4 = VG4 – 2.41 V= VD4 - 2.41 V = 2.41 V이므로 ... VD4 = VDD – IREF * R1 = 10V – 10mA * R1 =4.82 V이므로, R1 = 518Ω 이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험5(클리퍼 회로)

  수직 감도는 1V/cm,수평 감도는 0.2 ms/cm를 사용하라. e. ... 주기 : 다이오드 on상태, Vo = 1.5V + (-Vd) = 0.856V (Vd = 0.644V) 입력/ 출력 전압 파형 그래프 f. ... Vi = +4V일 때, Vo = Vd ?

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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  [전자공학응용실험] Common Gate Amplifier and Source Follower 결과레포트

  Experimental results 12-1 Rs VD VG VS ID Region 94k 6 2.99 1.90 20u saturation 12-2 VGG Vo Region VGG ... Input frequency Output V Output frequency 149m 10k 105m 10k 394m 10k 281m 10k 515m 10k 370m 10k 13-1 RD VD ... Comparison of experimental, theoretical, and simulated results 12.1 R:94k=Vs:1.25 12.2 12.4 13.1 R:5.2k=VD

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19

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  [전자공학실험2] 차동 증폭기

  [그림1]의 회로에서 입력 두 단자(VG1, VG2)를 모두ground 시켰을 때 출력단의 전압 차(VD2-VD1)를 측정해보면 [그림2]와 같이VO = 378mV로 나타났다. ... 실험 내용 및 결과 분석MOS differential pair with current mirror① [그림1]의 회로를 구성한다.② 오프셋 전압을 측정하고 0 V가 아니면 그 이유를 ... 그리고 차동증폭기에서 RD1과 RD2의 저항 값의차이가 성능에 미치는 영향에 대해 고찰한다.⑤[그림6]과 같이 current mirror 대신 RSS를 사용 할 때의 Ad, Acm,

  리포트 | 11페이지 | 1,800원 | 등록일 2023.01.21

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  MOCVD 원리 및 응용

  리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.03.04 | 수정일 2022.03.11

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  전자공학응용실험 - 능동부하가 있는 공통소스 증폭기 결과레포트

  두 번째 실험에서는 VIN(VDC)에 1.5V~3V까지 0.1V 씩 올리며 VD를 측정하였고 이를 통해 Bias전압을 확인 하였다.약 2.2V까지는 4V로 cut-off영역에 있고, ... 측정 Vin(DC) VD Vin(DC) VD 1.5V 4V 2.3V 3.98V 1.6V 4V 2.4V 3.95V 1.7V 4V 2.5V 3.84V 1.8V 4V 2.6V 3.12V ... 고찰사항 : (1) 전압 이득의 계산값과 측정 값이 다른 이유를 분석하시오. -> 계산에서는 current mirror에서의 소신호 영향을 무시했지만 실험에서는 미미하게 존재하기 때문이다

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.20

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험3(직렬 및 병렬 다이오드 구조)

  P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석 C. 예상되는 실험 절차 (2) 직렬 구조 (교재 28p) (2) - A. 실험할 회로도 a. 그림 3-3 회로 d. ... 그림 3-4 회로 VD = 5V ? 4.362V=0.638V Vo = 4.362V Id = = Vo/R1 = 1.983mA VD = 3.631V ? ... 실험할 회로도 (Vd = 초록색, Vo = 빨간색) a. 그림 3-8 회로 3-8. 시뮬레이션 결과 VD = 4.371V Vo = 0.629V (3) - B.

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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  20장 공통 소스 트랜지스터 증폭기 예비레포트

  =search" https://blog.naver.com/PostView.nhn? ... VDD=20V, RG=1MΩ, RD=510Ω, Rs=0Ω로 설정하고 회로를 구성하라 VD 측정값 = 13.87V ID (계산값) = (VDD - VD) / RD = (20 – 14) ... 이제 Rs=1kΩ룰 연결하고 측정하고 기록하라 VGS = -1.8344V VD = 19.064V ID = (VDD - VD) / RD = (20 – 19) / 510 = 1.96mA

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.11

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  수리학실험 레이놀즈수 실험 결과보고서

  R _{e} = {VD} over {nu} = {7.35`cm/s TIMES2.6`cm} over {0.0101`cm ^{2} /s} =1888.358103 , 층류 ? ... R _{e} = {VD} over {nu} = {30.04`cm/s TIMES2.6`cm} over {0.0101`cm ^{2} /s} =7719.077861 , 난류 ? ... R _{e} = {VD} over {nu} = {19.78`cm/s TIMES2.6`cm} over {0.0101`cm ^{2} /s} =5083.888465 , 난류 ?

  리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.30

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험4(반파 및 전파 정류)

  2VD 2. D3, D4가 ON이 된 경우 PIV = VS ? 2VD 3. 실험 내용 및 절차 A. 실험할 회로도 B. P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석 C. ... 측정값을 사용하여 2차측 전압의 피크값을 계산하라. c. ... 순서 2(b)와 동일한 감도를 사용하고 출력 파형에 최대, 최소값을 표시하라. c.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.19

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)

  VD를 측정하고 그 값을 표 2.3에 기입하여라. 표 2.3에 보여준 식으로 대응하는 전류 ID값을 계산하라. c. ... P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석 C. 예상되는 실험 절차 (2) 순방향 바이어스의 다이오드 특성 곡선 (2) - A. ... 그림 2-5에 Si과 Ge 다이오드에 대한 ID 대 VD 특성곡선을 그려라. 각 곡선의 아래 부분을 확장하여 (ID=0mA, VD=0V)에서 만나도록 곡선을 완성하라.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18

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  회로접지

  이번에는 C점을 기준으로 전압을 측정해본다. 즉, 회로에는 전혀 손을 대지 않고 기준점만 옮긴다. 전압계의기준 측정막대(-)를 C점에 갖다 대면 바로 이 점이 접지가 된다. ... V VB 0.0 V(기준) VC -3.39 V VD -8.38 V 전압차 VAB=VA-VB= 1.66 V VBC=VB-VC= 3.39 V VCD=VC-VD= 4.99 V 표 8-6 ... VB-VC= 3.39 V VCD=VC-VD= 4.99 V 전압 측정값 VA 5.05 V VB 3.39 V VC 0.0 V(기준) VD -4.99 V 표 8-5 전압 측정값 VA 1.66

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.11.11

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  인하대학교 전자회로1 HW5

  천정오 HW5 1) Design logic circuit within control circuit to satisfy the truth table of the control circuit ... HW5 VD1 1 0 DC 3V R1 1 2 3K MQ1 2 3 gnd gnd NCH W=40U L=1U VD2 4 0 DC 3V R2 4 5 3K MQ2 5 6 gnd gnd NCH ... W=10U L=1U VD3 7 0 DC 3V R3 7 8 3K MQ3 8 9 gnd gnd NCH W=20U L=1U VD4 10 0 DC 3V R4 10 11 3K MQ4 11

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.07.27

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