"si 다이오드" 검색결과 1-20 / 2,743건

• 

  [A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

  Si와 Ge 다이오드의 결과값 I _{S}를 비교하면 어떤가? Si 다이오드가 Ge 다이오드에 비해 더 작은 전류가 흐른다. ... R _{DC`} `=` {V _{D}} over {I _{D}} `=` {V _{D}} over {I _{S}} `=` {E`-`V _{R}} over {I _{S}} Si`=` { ... _{m}}=`15.34V`` TIMES `1.003K ohm V _{R} = 15.34 V I _{S} = 15.2 mA d.

  리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

  다운로드 장바구니
• 

  충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 1. 다이오드 응용회로

  출력 전압 범위는 0 V _{s} =V _{s,min}도 제너 다이오드가 파괴 영역에서 동작하게 해야 함 ? I _{z,min}도 제너 다이오드의 역 파괴 영역에 있어야 함 ? ... 전류-전압 특성 식 I=I _{s} (e ^{V/nV _{T}} -1) (I : 순방향 전류, V : 순방향 전압, I _{s} : 포화전류= 10 ^{-15} A, n : 이상계수 ... ln(I)= {V} over {nV _{T}} +ln(I _{s} ) (전류 I를 로그함수로, 전압 V를 선함수로 그린 반로그(semilog) 그래프의 기울기는 이상계수 n의 역수)

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24

  다운로드 장바구니
• 

  [전자회로]다이오드 결과

  실험결과 표1.1 바이어스 V_AK}[V]I[mA]R(diode) 순방향 0.7 12.4mA 56.5Ω 역방향 1.5 0mA ∞ 표1.2 순방향 역방향 V_AK} [V]I[mA]R[ ... 다이오드 : Si(1N4154), Ge(1N4454) 관련이론 (1) 반도체(semiconductors) 반도체는 도체와 절연체의 중간의 전기적 성질을 갖는 고체로서 트랜지스터, 접합다이오드 ... 실험의 목적 1.반도체 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스의 효과를 측정하고 2.반도체 다이오드의 I-V 특성을 실험적으로 결정하고 3.저항계로 다이오드를 검사하는 방법을 익힌다

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

  다운로드 장바구니
• 

  울산과학기술원(UNIST) 유니스트 반도체소재부품대학원 자기소개서 연구계획서

  and so on. 2.Study Plan I will study about Free-standing and ultrathin inorganic light-emitting diode ... Since I have excellent grades and research experience, I believe I have sufficient qualifications to ... GaN light-emitting diodes using GaN microdisks epitaxial laterally over- grown on graphene dots, Phase-Engineered

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.05.19

  다운로드 장바구니
• 

  울산과학기술원(UNIST) 유니스트 대학원 물리학과 자기소개서 연구계획서

  , Investigation into the temperature dependence of electron leakage in GaN-based blue laser diode structures ... 1.Preferred study field in detail I am interested in Praseodymium-dopant effect on bismuth-substituted ... dilemma game on signed network and so on. 2.Study Plan I will study at UNIST about Cernox thermometer

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.10.11

  다운로드 장바구니
• 

  울산과학기술원(UNIST) 유니스트 대학원 화학과 자기소개서 연구계획서

  Lifetime of Blue Fluorescent Organic Light-Emitting Diodes by Using a Mixed-Electron Transporting Layer ... When I was a master's researcher, I focused on research on The glacier melting process is an invisible ... additive in high-efficiency PM6:Y6 series nonfullerene solar cells and so on. 3.Personal Statement I

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.10.11

  다운로드 장바구니
• 

  아주대 물리학실험2 실험15 옴의 법칙 A+ 결과보고서

  두 종류(p형과 n형)의 반도체의 접합인 다이오드는 전압과 전류의 관계가 I=I _{s} (e ^{eV/kT} -1)과 같이 표시된다. ... 이 식의 I _{s}를 역방향 포화전류라고 하며, 보통의 전류계로는 관측되지 않을 정도로 작은 전류이다. ... 한 주기가 0.1s임을 그래프-4,5,6을 통해 알 수 있고 주기가 0.1s일 때 빛이 꺼져있는 시간은 약 0.094s이다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.01.02

  다운로드 장바구니
• 

  울산과학기술원(UNIST) 유니스트 대학원 신소재공학과 자기소개서 연구계획서

  phosphors for durable light-emitting diodes. 3.Personal Statement I received a master's degree in materials ... Even in graduate school, I faithfully took advanced major classes. ... Also, I will study about Electronic Promotion of Methanol Synthesis over Cu-Loaded ZnO-based Catalysts

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.08.14

  다운로드 장바구니
• 

  [경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트

  1.2V 200 Ω9mA 1.8V 100 Ω-3mA -0.3V I _{2} =I _{1} +I _{3}# 1.5-V _{2} -V _{3} =0# 3-V _{1} -V _{2} = ... 따라서 다이오드는 마치 전류의 흐름이 끊긴 open circuit처럼 동작한다. - 첫 번째 실험으로 다이오드(diode)의 순방향 바이어스(Forward bias)인 경우와 역방향 ... 이때 다이오드는 마치 저항이 매우 작거나 없는 물질처럼 short circuit처럼 행동한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.07.05

  다운로드 장바구니
• 

  기초전자실험_5,6장_클리퍼, 클램퍼 회로_결과레포트

  V _{O}(계산값) 0.516V si 다이오드 on, Ge 다이오드 off → Ge 다이오드 개방 ☞ V _{0} =V _{T} (si)=0.516V c. ... R, E, V _{T}의 측정값을 이용하여 V _{i} = +4V의 시간 간격에서 출력 전압 V _{O}레벨을 계산하라. si 다이오드 on → si 다이오드 단락 V _{O}(계산값 ... V _{O}(계산값) 0V si 다이오드 off → si 다이오드 개방 과로부터 V _{O}파형 그림 5-13의 파형을 순서5(d)의 예측된 결과와 비교하라.

  리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.16

  다운로드 장바구니
• 

  전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 결과보고서

  I_Z는 V _{sig}=-10V일 때의 I_Z와 V _{sig}=-9V일 때의 I_Z의 차이이다) 그리고 이를 이용하여 {TRIANGLE V _{Z}} over {TRIANGLE ... 여기서 I _{S}는 스케일 전류로 보통 10-15A의 값을 가진다. ... 식(1.1)에서 n을 구하기 위해 ln을 취하고 항을 넘기는 등의 과정을 취하면 n= {v} over {ln(1+( {i} over {I _{s}} ))+V _{T}}이고, V _{

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

  다운로드 장바구니
• 

  실험 01 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 예비 보고서

  식 (1.1) 여기서 I _{S}는 스케일 전류를 의미하며, 다이오드의 단면적에 비례하는 양이다. ... 실험회로 1([그림 1-10])에서 V _{eqalign{sig# }} 전압을 -10V~10V까지 1V 간격으로 바꾸면서, 다이오드 D1(1N4004)에 흐르는 전류( I _{D}) ... 실험회로 2([그림 1-13])에서 V _{eqalign{sig# }} 전압을 -10V~10V까지 1V 간격으로 바꾸면서, 다이오드 D1(1N4733)에 흐르는 전류( I _{Z})

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25

  다운로드 장바구니
• 

  [반도체회로]실험보고서5(제너다이오드특성)

  제너다이오드가 역방향으로 바이어스 되면 아주 작은 역방향전류 I _{S}가 흐르는데 이 전류를 역방향 포화전류라고 한다. ... I, V _{S}, 그리고 부하양단의 전압을 측정하여 표5-2에 기록하라. ⑨ V _{S}를 가감시키면서 V _{AB}값이 0.1V 오차범위 내로 유지될 수 있는 V _{S}범위를 ... I _{S}는 역방향으로 제너전압 V _{Z}까지는 일정하게 유지되다가 V _{Z}부근부터는 역방향 전류가 급격히 증가한다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10 | 수정일 2022.12.21

  다운로드 장바구니
• 

  [경희대 A+] 실험 6. 클램퍼회로 예비결과보고서

  또한 이 RC회로의 시상수를 계산해보면, tau `=`RC`=`100[kΩ] TIMES 1[ mu F]`=`0.1`[s]이다. ... v_i에 대해 V _{c}와 V 4 [V] 일 때, 다이오드는 OFF상태가 된다. ... 값 또한 spark가 일어난 것을 감안해 measure를 통해 측정하였는데, 이는 위의 계산값 0.874 [V]와 조금의 차이는 있지만 유사하다고 볼 수 있습니다. [4] 클램퍼(

  리포트 | 38페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.26 | 수정일 2024.01.08

  다운로드 장바구니
• 

  물리학실험 옴의 법칙

  -발광다이오드(Light Emitting Diode)에서 빛이 나오는 현상을 관측하였는가? ... 그러나 다이오드의 경우 와 I의 관계에서 증가하는 기울기(R)를 가지는 것을 볼 수 있다. 따라서 다이오드에서 의 옴의 공식은 성립하지 않는다. ... 따라서 Data studio의 작동원리상 오차가 발생하였을 것이다. 결론 전자회로에서 쓰이는 탄소저항과 다이오드를 이용하여 실험을 진행하였다.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.09.28

  다운로드 장바구니
• 

  전기전자공학실험-다이오드의 특성

  순방향과 역방향 바이어스 영역에서 다이오드의 상태를 파악할 수 있는 단자(scale)가 멀티미터에 다이오드 기호로 표시되어 있다. ... 특성곡선의 어떤 점에서 다이오드의 DC 또는 정저항(static resistance)은 RDC = VD / ID 와 같이 그 점에서 다이오드 전압과 다이오드 전류의 비로써 계산된다. ... I 특성곡선의 수직 상승 영역에서 미분을 적용하면 다이오드의 AC 저항이 다음과 같이 주어짐을 볼 수 있다. rd = ?V / ?

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

  다운로드 장바구니
• 

  19. 지너 다이오드 회로와 직류 전원 회로-예비-기초전자전기실험2

  I _{T} =I _{Z} `+`I _{L}이고 지너 다이오드의 저항을 R _{Z}라고하면 I _{T} = {V _{S}} over {R _{S} + {R _{Z} R _{L}} over ... 전개하면 I _{L} = {V _{S}} over {R _{S} (R _{Z} +R _{L} )+R _{Z} R _{L}} TIMES R _{L}이 되고 I _{L} = {V _{S ... {R _{Z} +R _{L}}}이고 I _{L} = {V _{S}} over {R _{S} + {R _{Z} R _{L}} over {R _{Z} +R _{L}}} TIMES {R

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.29

  다운로드 장바구니
• 

  충북대 전자회로실험 실험 1 다이오드 및 BJT 특성 예비

  } (1.6) I _{S} = {i _{D}} over {e ^{v _{D} /nV _{T}}} (1.7) 다이오드의 회로 해석을 쉽게 하기 위하여 다이오드 전류 전압 특성을 기울기가 ... {i _{D1}} over {i _{D2}} = {I _{S} (e ^{v _{D1} /nV _{T}} )} over {I _{S} (e ^{v _{D2} /nV _{T}} )} = ... i _{D1} =I _{S} (e ^{v _{D1} /nV _{T}} ) (1.3) ?

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2023.03.14

  다운로드 장바구니
• 

  아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+

  I=I _{S} (e ^{eV/kT} -1)위의 식에서 I _{s}는 역방향 포화전류를 의미하는데, 이는 보통의 전류계로는 관측되지 않을 정도의 작은 전류이다. ... 1- 그래프 2- 실험 2 정류용 다이오드 1`k ohm 표시저항의 측정값: R _{B} `=`986` ohm 측정 점 V _{D} ` (V) V _{B} ` (V) I` (A) ... 2mA 부근 다이오드 V _{D} ` (V) V _{B} ` (V) I` (A) R`( OMEGA ) D _{1} (적색) 2.330V 1.994V 2.02 TIMES10 ^{-3

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.23

  다운로드 장바구니
• 

  전자공학실험 3장 정전압 회로와 리미터 A+ 예비보고서

  V _{out} =3V _{D0} +I _{D} (3r _{D} )# ``````````````=3V _{D0} +(I-I _{L} )*(3r _{D} ) (3.6) 식 (3.6)으로부터 ... V _{out} =3V _{D0} +I _{D} (3r _{D} )# ```````````````=3V _{D0} +(3r _{D} )* {V _{in} -3V _{D0}} over ... V _{out} =V _{Z0} +I _{D} (r _{z} )# ```````````````=V _{Z0} +(r _{z} )* {V _{in} -V _{Z0}} over {R+r

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.09

  다운로드 장바구니