차세대 메모리

소개글

한양대학교 서울캠퍼스 `반도체공정`시간에 제출했던 레포트입니다. 물론 에이뿔 받았구요.가격은 좀 비싼 편이지만 그만한 가격값을 꼭 하는 레포트이니 주저 말고 구입하셨으면 좋겠습니다.

목차

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본문내용

Mobile 시장의 확대로 고속, 고화질, 저소비전력의 시대
높은 저장 밀도
빠른속도
비휘발성
낮은 생산가격
낮은 전력 소모 등 다양한 조건.
⇒ DRAM, SRAM, FLASH Memory : 일부 만족
⇒ 대안 : 차세대 Memory (FRAM, PRAM, MRAM)

DRAM, MRAM, FRAM, PRAM : 1Transistor 1Capacitor, Capacitor 구성에서 차이
⇒ 차세대 Memory는 기존의 DRAM에서 Refresh동작을 없애고, 비휘발성을 실현하기 위해서 Capacitor에 다른 개념을 적용한 것.

Capacitor에 전하가 저장 ⇒ ‘1’인식, 방전 ⇒ ‘0’인식.
Transistor는 switch역할.
Word Line과 Bit Line의 끝에 있는 Logic회로에서 Cap.의 상태 판별.

Cap.에 저장된 전하가
일정부분손실 발생.
전하를 Refresh.
(초당 수십회)
소모전력 증가.
고속 동작에 불리.
휘발성.
Memory

차세대 Memory
<종류>
반도체 내부의 기본 단위인 셀을 구성하는 물질에 따라서,
FRAM (Ferroelectric RAM, 강유전체)
MRAM (Magbetuc RAM, 강자성체)
PRAM (Phase-change RAM, 상변화)
Nano-tube RAM
Holographic Memory
Modular Memory
⇒ 시장에 가장 빠르게 진입한 것은 FRAM.
현재 가장 빠른 기술 진척도와 높은 시장 가능성이 있는 제품은 PRAM.

참고 자료

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