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[예비보고서] 트랜지스터 컬렉터 특성 실험 트랜지스터 직류 바이어스 실험

*윤*
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최초 등록일
2011.11.10
최종 저작일
2011.10
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소개글

전자회로실험

목차

실험 목적

관련 이론
▶ 컬렉터 특성 곡선의 원리

트랜지스터 직류 바이어스 실험

실험 목적

관련 이론
▶ 직류 부하선의 기본 원리

본문내용

실험 목적
트랜지스터에서 Ic 및 Vce 와의 사오간관계를 실험적으로 측정하여 컬렉터 특성곡선군을 결정한다.

관련 이론
▶ 컬렉터 특성 곡선의 원리
컬렉터 특성 곡선은 베이스 전류 IB를 매개 변수로 하여 컬렉터 전류 IC와 컬렉터-에미터 양단전압 VCE와의 상관 관계를 정량적으로 나타낸 것으로 트랜지스터의 동작 영역을 구분하는데 중요한 지표로 이용된다. 여러 가지의 베이스 전류 값을 기준으로 하여 IC와 VCE와의 그래프를 그리게 되면 컬렉터 특성곡선군이 얻어진다.

① 동작점 A
VCC = 0 으로 놓고 VBB를 적당한 값으로 설정하면 이 때 베이스 루프내에는 전류 IB1이 흐른다. 아래 그림에 나타난 것처럼 베이스-컬렉터 접합면 JBC와 베이스-에미터 접합면 JBE는 각각 순방향으로 바이어스되어 베이스단에 대략 0.7V의 전압이 나타나게 된다.

② 동작 구간 A-B
동작점 A 상태에서 VBB는 고정된 값으로 놓고 (즉 IB=IB1 으로 고정) VCC값을 0에서 대략 0.7V 정도까지 점차로 증가시키면 컬렉터 전류도 VCC값의 증가에 비례하여 점점 증가한다. 이 때 VC는 0.7V보다 작은 상태를 유지하므로 JBC는 여전히 순방향 바이어스 상태임에 주의하라. 결국 동작구간 A-B사이에서는 JBC와 JBE가 각각 순방향 바이어스 상태를 유지하기 때문에 VCC의 증가(즉, VCE의 증가)에 따라 컬렉터 전류도 증가하는 양상을 보이게 된다. 이 때 우리는 트랜지스터가 포화 영역(Saturation Region)에서 동작한다고 정의한다.

참고 자료

없음

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*윤*
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