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반도체별 메모리별 설명을 간단하게 요약한 과제

*현*
최초 등록일
2014.08.22
최종 저작일
2013.02
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목차

1.TTL
2.S-TTL
3.PMOS
4.NMOS
5.CMOS
6.PROM
7.EPROM
8.UV EPROM
9.EEPROM
10.S-RAM
11.D-RAM

본문내용

디지털 논리회로의 일종으로 트랜지스터와 트랜지스터를 직접 연결하여 구성한다. 기본회로는 NAND게이트로 이루어져 있으며 소비전력이 적고 고속동작이 가능하다는 특징이 있고 간단히 TTL(티티엘)이라고도 하며 DTL의 개량품으로 1970년대에 텍사스 인스트루먼트 사의 표준 논리 IC 종류 (74 시리즈)에 의해 널리 보급되었다.

<중 략>

EPROM의 일종으로 높은 전압으로 지울 수 있는 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) EEPROM은 전기적으로만 지울 수 있는 PROM으로 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해줌으로써 내부 데이터가 지워지게 되어 있는 롬이다. 데이터를 삭제하기 위한 전용 이레이저가 따로 필요하지 않으며 하나의 롬 라이터를 사용해서 쓰고 지울 수 있다. 그러나 EEPROM은 전기를 노출시킴으로써 한 번에 1 바이트씩만 지울 수 있기 때문에 플래시 메모리와 비교하면 매우 느리며 다시 기록 횟수에 제한이 있는데 약 10만 번 정도까지만 다시 기록할 수 있다.
EEPROM은 모뎀이나 비디오 카드, 메인보드, SCSI 컨트롤러 등에서 사용된다. 모뎀의 경우에는 내부에 사용자가 AT명령을 통해서 설정한 상태가 전원을 껐다 켠 후에도 그대로 유지되는데. 이것은 EEPROM에서 그 상태를 저장해 놓기 때문이다.

참고 자료

없음
*현*
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