ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

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ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘
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목차

1.서론
2. ReRAM이란?
3. Nanoionics 기반 저항변화 메모리 (ReRAM)
3.1 개요
3.2 저항변화 메모리의 스윗칭 동작 방식
4. 스윗칭 메커니즘
4.1 Thermal effect
4.2 Electronic effect
4.3 Ionic effect
5. 폴리머 활용 저항변화 스윗칭 소자
6. 저항변화 메모리의 전망 (RRAM. ReRAM)

본문내용

1.서론

정보화와 통신화가 가속화됨에 따라 문자, 음성 및 영상의 복합적 이용과 쌍방향 통신이 가능한 기기가 요구되고 있다. 이를 위해서는 더 많은 정보를 더욱 빠르게 처리할 수 있는 능력을 가진 반도체 소자가 필요한데, 이를 위해서는 시스템의 성능향상이 필수적이며 그 햇김부품의 메모리 소장의 포고속화, 초고집적화 및 초절전확 관건이다. 이러한 경제, 산업적인 고용량 정보저장에 필요한 초고집적화가 가능한 비휘발성 메모리 소자 개발의 필요성이 그 어느 때보다도 커지고 있는 실정이다. 기존의 DRAM 공정은 1-TR/1Capacitor 구조의 간위 Cell을 이루고 있는데 소자의 크기가 작아짐에 따라 Capacitor 공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 매우 어렵게 되었다. 그래서 기존 DRAM을 대체할 수 있고 비휘발성을 가지는 메모리의 필요성이 크게 요구되고 있다. 현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비 전력 flash 메모리의 비휘발성 SRAM의 고속 동작을 모두 구현하기 위한 시도가 이루어지고 있다. 최근 1TRS에 따르면 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM, NFGM, ReRAm, PoRAM, MRAM 분자전자 소자등이 있다.




2. ReRAM이란?

저항 메모리(Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM)는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다.

ReRAM기술은 짧은 전기 펄스를 가하여 일어나는 금속 산화물의 저항변화를 이용하여 메모리 셀 당 한 개 이상의 데이터 비트를 저장하는 원리이다. ReRAM은 플래쉬 메모리보다 Access Time이 105 배 이상 빠르고, DRAM과 같이 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하며, SRAM과 같이 빠른 읽기. 쓰기가 가능하고. 기억소작가 간단한 구조를 가지기 때문에 공정상의 결함을 줄일 수 있어 생산성도 기대할 수 있다.

참고 자료

위키백과
기술정책실,[차세대 메모리], 전자부품연구원,2008.07.