ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황

소개글

ReRAM(Resistive Random Access Memory)의 동작 특성 및 개발 현황에 관해 프레젠테이션용으로 만든 파워포인트 자료입니다. 이름만 기입하시고 바로 사용하시면 됩니다.

목차

1. ReRAM의 특성
2. ReRAM의 장점
3. ReRAM 핵심기술 개발방향
4. 기존 국내외 연구 개발 현황 – Perovskite oxides
5. 비휘발성 메모리 소자 종합 비교
6. ReRAM의 전망

본문내용

ReRAM의 특성

초거대 자기저항 물질을 전극사이에 삽입하여전기장에 의한 저항의 변화를 이용하는 메모리(CMR 물질이용)

PRAM과 비슷한 구조를 가지나 PRAM이 상변화를 위해 높은 전류를 요구하는 것에 반해 항상 비정질 구조를 유지하면서 Ovonicswitch의 문턱전압을 변화시켜서 저항의 차이가 생기게 만드는 메모리(Chalcogenide물질이용)

Phase Change Memory
Chalcogenide (GeSe..)
Thermally induced phase change => Resistive change (Logic states)
Thermal Isolation : High density cells

Resistive Switching Memory
NiO, Cr doped SrZrO3, PrCaMnO.
Filaments, Forming => Resistive change
(Logic states)
인가전압 크기에 따라 소자의 저항특성이 변화하여 전류의 단속(온(‘1’), 오프(‘0’)) 상태를 메모리로 이용

참고 자료

없음