차세대 비휘발성 메모리

소개글

비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말한다.
현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의 DRAM이나 플래시 메모리보다 더 빠르고 더 작은 회로선폭을 갖는 비휘발성 메모리를 개발하기 위한 노력의 결과가 구체화되고 있다. 기본 단위인 셀을 구조나 물질에 따라 FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램), MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램), PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램), ReRAM(Resistance RAM: 저항 램), PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램), NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노부유게이트 메모리), 홀로그래픽 메모리, 분자 전자 소자, 모듈러 메모리 등으로 구분된다.

목차

1.서 론
2.기술 동향
FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램)
MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램)
PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램)
PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램)
NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노 부유 게이트 메모리)
3.산업 동향
4.결론
5.참고 문헌

본문내용

비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말한다.
현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의 DRAM이나 플래시 메모리보다 더 빠르고 더 작은 회로선폭을 갖는 비휘발성 메모리를 개발하기 위한 노력의 결과가 구체화되고 있다. 기본 단위인 셀을 구조나 물질에 따라 FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램), MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램), PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램), ReRAM(Resistance RAM: 저항 램), PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램), NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노부유게이트 메모리), 홀로그래픽 메모리, 분자 전자 소자, 모듈러 메모리 등으로 구분된다.
현재 메모리 반도체를 대표하는 DRAM과 플래시 메모리는 서로 보완적인 장단점을 가지고 있다.
DRAM은 동적 랜덤 액세스라는 이름처럼 저장된 자료에 접근하는 경로가 자유롭기 때문에 처리 속도가 빠르다. 그러나 트랜지스터와 커패시터로 구성된 구조 상 저장된 전하의 누설이 일어나 이를 막기위해 수시로 전원을 공급해야 한다는 단점이 있다. 반면 대표적인 비휘발성 메모리라고 할 수 있는 플래시 메모리는. 폴리 실리콘으로 만들어진 플로팅 게이트에 전하를 축적 혹은 방전을 통해 트랜지스터의 문턱전압(thresholdvoltage) 변화를 메모리 동작원리로 적용하고 있다. 읽어내기 동작에서는 저전압으로 동작하고 억세스 속도는 중간정도이다. 쓰기 동작을 위해서는 5~12V의 높은 동작 전압이 필요하므로, 프로그램 속도는 밀리세컨드, 지우기 속도는 수초 단위로 매우 늦다. 바꾸어 쓰기 동작횟수는 105～105회로 한계가 있다. 플래시 메모리의 경우, 고내압 회로가 필요하기 때문에, 칩 면적 사용 효율 즉 주변회로에 대한 메모리 코어의 점유면적비가 DRAM과는 상대가 되지 않을 만큼 작다. 플래시 메모리를 혼재할 경우는 기본적인 논리 LSI공정에 상당히 복잡한 공정을 추가하지 않으면 안된다

참고 자료

없음