MOSFET 스위치 예비 report
- 최초 등록일
- 2016.06.26
- 최종 저작일
- 2016.03
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소개글
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목차
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험에 필요한 기본 지식
5. 실험절차 및 예상
6. 참고 문헌
본문내용
MOSFET란?
MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)또는 MOS 트랜지스는 금속막, 산화막,반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이다. MOS 트랜지스터의 source와 drain은 실리콘 표면에 생성되며 gate의 양쪽에 배치되게 된다. 반도체 영역은 대부분 트랜지스터 역할을 하기 위해 표면이 단결정 실리콘으로 도핑 되어 있다. 산화막은 실리콘 산화막 형태로 구성 되는데 금속막과 절연을 하는 기능을 한다. 금속막은 MOS 트랜지스터에 전압을 인가하기 위한 지점으로 사용된다.
MOS 트랜지스터는 gate, source, drain 3개의 터미널로 구성된다. 이것들은 각각 bipolar 트랜지스터의 base, emitter, collector와 같다.MOS 트랜지스터의 source와 drain이 실리콘 표면에 만들어지는 반면 gate는 금속막 층에 있게 된다. Bipolar 트랜지스터처럼 MOS 트랜지스터를 통한 전류의 흐름은 gate에 인가되는 전류에 따라 제어가 된다.
참고 자료
전자회로 7판 14장
전자회로 실험 교재 #7
데이타 시트, http://www.alldatasheet.co.kr/