실험10-반도체메모리-예비레포트

목차

1. 실험 목적

2. 관련 이론
2.1. SRAM
2.2. 반도체 메모리 회로의 구현

3. 실험방법 및 순서
3.1. 아래 그림과 같이 입출력 분리 방식 SRAM인 IC 2101을 사용한 256X4BIT 메모리 회로를 결선하라.
3.2. 스위치 SWa를 off시키고, 실험결과 보고서를 참고하여 스위치 SWb를 놓은 데이터 입력상태로 변경한 후 스위치 SW1에서 SW4를 어드레스 값으로, SW5에서 SW8을 데이터 값으로 설정하라.
3.3. 스위치 SWa를 on시켜 데이터 판독상태로 변경하고 데이터를 판독하여 실험결과보고서에 작성하라.
3.4. 아래 그림과 같이 입출력 공통 방식 SRAM인 IC 2114를 사용하여 1024X4BIT 메모리 회로를 결선하라.
3.5. 실험결과 보고서를 참고하여 스위치 SW1에서 SW4를 어드레스 값으로, SW5에서 SW8을 데이터 값으로 설정하라.

4. 실험 예비 문제

본문내용

1 실험 목적
입출력 분리 방식 SRAM에 대해 알아본다.
입출력 공통 방식 SRAM에 대해 알아본다.

2 관련 이론
RAM이란 어떤 메모리 주소가 다른 위치의 주소처럼 쉽게 액세스할 수 있는 임의접근메모리(random-access memory)를 나타낸다. RAM은 컴퓨터에서 프로그램과 데이터의 일시적인 저장을 위해 사용 많은 RAM 주소의 내용은 컴퓨터가 프로그램을 수행함에 따라 읽고 쓰여진다. RAM의 주된 단점은 비휘발성이어서 전원이 차단되거나 꺼져버리면 저장된 정보가 삭제되고 RAM의 장정에는 데이터의 빠른 읽고 쓰기 기능하다는 점이다.

2.1 SRAM

<그 림>

휘발성이기는 하나 전원을 공급하는 동안 안정하게 데이터를 저장하는 정적인 RAM의 역할을 하고 메모리 셀은 플립플롭 (1비트 데이터 저장 => 4~6개 트랜지스터 사용)으로 이루어져 있다. SRAM의 장점으로는DRAM에 비해 속도가 빠르고 리프래시가 필요 없어 메모리 관련 회로가 간단하게 이루어 진다. 단점은 집적도가 낮고, 소비전력이 크며, 가격이 비싸다.

참고 자료

없음