[반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트

목차

1. Capacitors in DRAM
2. Gate insulators in MOSFET

본문내용

• Capacitors in DRAM
DRAM은 셀이 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 구성되어 있으며, 비트 상태 값을 전하로 캐패시터에 저장한다. 상태 값을 읽기 위해(read) AL에 전류를 흘려준다. 그러면 캐패시터에 저장된 전하가 DL으로 빠져 나오게 된다. 반대로 상태값을 쓰기(write) 위해서는 DL에 전류를 흘려주어 캐패시터가 완충될 때까지 AL을 열어둔다.
High-K 물질은 높은 유전율을 갖는 물질을 말하며 여기서 K는 유전 상수(dielectric constant)를 나타낸다. High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 SiO_2와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다.
DRAM이나 MOSFET 소자는 계속해서 Scaling down 과정이 진행되고 있다. 이러한 과정을 통해서 집적도나 용량이 증가하고 속도도 증가하는 등 많은 장점을 얻을 수 있다. DRAM에서 캐패시턴스를 증가시키면, 더 큰 용량을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 사이즈를 줄이는 과정에서 여러 이점을 갖는다. 따라서 캐패시턴스 용량을 늘려야 하는데, 캐패시턴스는 다음과 같은 식으로 정리된다.

참고 자료

https://koodev.wordpress.com/2016/01/11/sram%EA%B3%Bam%ED%95%98%EB%93%C%EC%9B%A8%EC%96%B4-%EC%9D%B4%ED%95%B4/
000 교수님 PPT 수업자료
최근의 DRAM capacitor 개발 동향, 김성근. 황철성. [2006]
http://blog.daum.net/21th_vision/7083677
http://wiki.nex32.net/%EC%9A%A9%EC%96%B4/hkmg
http://www.iwailab.ep.titech.ac.jp/pdf/iwaironbun/0801IIT-B_talk.pdf
http://web.yonsei.ac.kr/tfml/Dielectric.htm