"high-k" 검색결과 1-20 / 7,516건

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  High-k report

  차국헌, 김재성, 주영창 - High-k 게이트 절연물질의 전기적 특성: 도전과 현 문제점 및 해결책, RESEAT, 2007-04-03, 김정수 -mmy ... Poly Si/high-k stacks의 적용은 Vth controllability, poor reliability, dopant penetration, and inversion oxide ... High-ĸ REPORT 1.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  High-k dielectrics 목차 High-k dielectrics 이란 Dram capacitor MOSFET gate oxide 주의점 및 요구조건 High-k dielectrics ... [사진2] Dielectric constant k 일반적으로 High-k dielectric은 집적회로의 dielectric으로 주로 사용하였던 SiO2 산화막과 비교하여 High-K ... [사진 11] high-k 물질의 유전상수와 band offset 세번째는 열적 안정성이다. High-k 물질은 산화물이므로 Si 기판과 반응하여 SiO₂가 형성되기 쉽다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

  예비 레포트 - 실험날짜 : 2018년 03월 14일 - 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술 - 예비이론 • High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야 : High-K ... High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1] 현재 개발된 High-K 물질로는 등과 같이 유전 상수가 약 20~30인 ... 따라서 게이트 산화물에서 누설전류를 감소시키며, 채널 형성을 잘 시키기 위해서 High-K 물질을 이용한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 예비레포트

  예비 레포트 - 실험날짜 : 2018년 04월 11일 - 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술 - 예비이론 • 산화물 반도체의 정의, 장단점 및 활용 가능한 영역 산화물 ... a-Si:H, LTPS, 산화물의 특성 비교 [2] 기존 디스플레이 제품은 주로 비정질 Si을 이용해서 구현했다. ... 하지만 뛰어난 성능을 갖지만, LTPS에 비해 낮은 이동도를 갖고, P-type을 구현하기 어려우며 신뢰성이 떨어지는 것이 단점이다. [2] 그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  GAAFET발표자료(대본포함),게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향)

  둘러싸기 때문에 구조적으로 채널에 대한 게이트의 영향력 을 키울 수 있음 전체 표면적이 증가 함에 따라 채널의 전류를 증가 시킬 수 있음 최고의 transistor 조건 : PPA(High ... High process compatibility with FINFETs eliminates the need for new tools. 16 FinFET vs GAAFET 출처 : 가젯서울 ... Remove dummy gate to form Gate-All-Around structure Spacer Formation Source-Drain Epitaxy Dummy Gate

  리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.03 | 수정일 2022.12.14

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  TGV-K의 제동함수를 고려한 고속철도 교량으 동적거동 (Dynamic Behavior of Bridges for High-Speed Train Considering Braking Function of TGV-K)

  한국지진공학회 곽종원

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  [프레젠테이션]high-k gate oxide

  Scale down은 지속적인 과제 - High-K material의 사용은 꼭 필요함 www.themegallery.com Click to edit company slogan . ... High-K dielectic material 김기주이 LOGO Contents 이론적 소개 1 제조방법/ 제조기업 2 시장현황 3 향후 전망 4 이론적 소개 MOSFET 제조방법/

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.09.04

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  [high-k oxide] The interface between silicon and a high-k oxide

  대부분의 high-k oxides 는 injection barrier가 매우 낮다. ... Ceramic thin film Lab Changwon National University The interface between silicon and a high-k oxide Ceramic ... Ceramic thin film Lab Changwon National University SiO2 : 유전율 부족 High-k oxide : 다른 성질들 유지 어려움 처음 도입된

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.13

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  전자및에너지재료공학 기말 보고서

  대신 금속 계열 사용, 이때 게이트 옥사이드의 물질은 절연성이 더 높은 High-k 로 사용함 ... 통제가 쉬운 폴리실리콘 사용하게 됨, 높은 저항값 때문에 트렌지스터의 성능 저하를 야기함Doped SiO2 : 폴리실리콘의 저항 성분을 낮추어 동작속도를 빠르게 하기 위해 도핑함High ... K Metal : 트렌지스터의 크기가 축소되면서 게이트 옥사이드 두께가 얇아지고 게이트 층의 도핑된 농도가 채널로 이동하게 되고 이에 따라 문턱전압이 다시 높아짐, 때문에 폴리 실리콘

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  High-k 물질 도입에 대한 배경 - Moore의 법칙과 Device Scaling Down - High-k material 선택 및 조건 - Reasonable K value - ... Metal/High-k 접합면에서 발생합니다. ... Remote Phonon Scattering (RPS) High-k material들은 주로 Metal과 Oxide, 즉 M-O결합으로 구성됩니다.

  리포트 | 50페이지 | 50,000원 | 등록일 2024.01.07

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  고려대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

  멀티게이트 벌크 MOSFET의 설계 최적화 연구, 다중 게이트 벌크 MOSFET의 라인 에지 거칠기에 대한 이중 패터닝 및 이중 에칭의 영향 연구, Rayleigh 분포를 이용한 high-k ... 저는 OOO 교수님의 OOOOOO 연구실에서 LER 유도 무작위 변이-n형 Ge Junctionless FinFETs에 대한 금속-간층-반도체 소스/드레인 구조의 면역 효과 연구, ... DRAM Cell에 Metal-Interlayer-Semiconductor Source/Drain Contact 구조를 채택하여 DRAM 성능 향상 연구, 원자층 증착 강유전성 Hf0.5Zr0.5O2

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

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  광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

  material 전자재료공학과 2020000000 000 제출일: 2022.11.19 High-k 물질 도입 High-k물질은 집적이 계속되면서 발생하는 문제점을 보완하기 위해 사용한다 ... 그래서 적정 oxide 두께를 가지는 high-k소재가 도입되었다. ... 하지만 이러한 방법으로 130nm세대 이상에서 충분한 커패시턴스를 유지하기 어려웠고 Ta2O5 및 Al2O3와 같은 high-k물질이 유전체로 사용되었다.

  리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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  [합격자소서] 어플라이드 머트리얼즈 AMK CE 자기소개서

  이를 기존 Poly-Si/SiO2 대신 Metal/HIgh-K 구조를 선정하여 해결하고자 했습니다. ... High-K 소재는 Al2O3/HfSiO4/HfO2, Metal 소재로는 Ta/TiN/Ni/Auf를 선정하여 시뮬레이션을 진행했습니다. ... 하지만 Metal/High-K 는 상대적으로 낮아진 blocking oxide의 장벽으로 인해 retention 특성이 저하 된 것을 시뮬레이션 데이터를 통해 확인 했습니다.

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.29

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  반도체공정 Report-4

  하지만 high-k물질이라고 장점만 가지는 것은 아니다. ... 이런 문제들 때문에 gate insulator로 high-k 물질의 single layer가 아니라 silicon oxide와 같이 사용하여 multi-layer로 사용하는 등의 방법이 ... N-MOSFET에서 source와 drain은 substrate와 p-n+ junction을 이루고 있다. 따라서 channel영역으로 공핍층이 형성된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11 | 수정일 2021.04.13

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  한양대 신소재공학부 반도체공정 특허발표자료

  발명자: 박기연 외 5명 출원번호:10-2003-0025533 반도체 소자 집적도 증가 - 단위면적당 큰 커패시턴스 요구 - 유전막 두께를 얇게 하거나, high k 재료를 유전막으로 ... 이용하는 방법 등이 있음 - 하지만 유전만 두께 얇게 하면 leakage current 증가(한계가 있음), high k를 유전막으로 쓸 경우 폴리실리콘을 사용할 수 없음(폴리실리콘과 ... 반응해서 산화됨=금속 실리케이트가 생성되면서 저유전층 생성) - 따라서 고유전막과 폴리실리콘 사이에 질화막을 deposition증착해야 함 La2O3는 유전율이 27, 1000K에서도

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.02 | 수정일 2020.03.21

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  삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

  HKMG(High K Metal Gate)란? (SiO2대신 사용할 수 있는 절연막? 두께가 얇아질 때 누설전류를 줄일 수 있는 방법? 금속Gate 쓰면 Vth 낮은 이유?) ... 실리콘은 14개 전자로 이뤄짐. 1s-2s-2p-3s-3p, 3p에 전자 2개. ... 채널 길이가 짧을수록 드레인이 캐리어에 가하는 전계가 더 크기 때문에 캐리어가 더 높은 운동에너지로 소스->드레인 이동함.

  자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

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  인하대 반도체소자 기말고사 족보

  , 즉 high k 물질을 보통 이용하게된다 ) V (th)줄이기 ( V.gate 는 고정되어 우리가 가해주는 전압일뿐 ..V. ... ( C.i = dielectric constant / d 이므로 두께를 줄이면 c.i 커지는데 한계 존재- 전류 누설될 수 있음 -> 그래서 high dielectric constant ... High frequency 일때 original graph 를 그리고, 도핑 농도를 높였을때의 HF 그래프를 그려라+ 간단한 설명도 추가.

  시험자료 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.27

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  [반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

  특히 highly scaled devices의 short-channel effects를 제어하기 위함이다. ... 앞에서 언급한 다른 재료 및 공정 솔루션(high-κ gate dielectric, metal gate electrodes, 억지로 만든 실리콘 채널, 높은 소스/드레인 등)은 non-classical ... EOT를 스케일링하려면 상대 유전 상수(k)가 높은 유전 재료가 필요하다.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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  반도체 공정 레포트2 (Flash memory)

  Erase 동작 시 전극으로부터 전자가 주입되어 reprogramming되는 현상이 발생함으로 인하여 High-k물질을 사용한 새로운 구조의 charge trap flash가 많이 ... High-k material의 경우 SiO2에 비하여 큰 dielectric constant를 가지고 있어 blocking oxide로 사용하면 erase 동작 시 blocking ... 이 중 특히 ONO (SiO2/Si3N4/SiO2) 구조의 gate dielectric 사용을 통한 신뢰성의 열화 문제는high-k dielectric을 적용한 소자 연구의 필요성을

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.15 | 수정일 2021.01.17

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  2023년 SK이노베이션(SK ON, 아이이테크놀로지, 지오센트릭) 96가지 면접 질문 + 답변 + 기업정보

  하이니켈(high-Ni) 기술에 대해 알고 있는 것을 말해주세요.업으로써 석유제품 생산에 필요한 원유 등 원료를 수입하고, 울산 및 인천complex에서 원료를 정제하여 휘발유, 경유 ... 우리 회사의 친환경 사업 중에 알고 있는 것을 말해주세요. 9. sk이노베이션은 향후 글로벌 시장에서 어떨 것 같나요? 10. sk이노베이션의 단점을 말해주세요. 11. ... 12. sk 이노베이션 경쟁사의 현황에 대해 알고 있나요? 13. sk 이노베이션이 어떤 회사이고 핵심 사업이 무엇인지 설명해주세요. 14. SK 이노베이션의 기업가치 15.

  자기소개서 | 39페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.11.15

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