High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

목차

1. 실험날짜
2. 실험주제
3. 예비이론
4. 출처

본문내용

- 실험날짜 : 2018년 03월 14일
- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술
- 예비이론
• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야
: High-K 물질은 높은 유전율을 갖는 물질을 말하며, K는 유전 상수(dielectric constant)를 나타낸다. 유전 상수(K)가 높을수록 배선간 누설 전류 차단 능력이 뛰어나고, 게이트의 절연 특성이 좋다. Scaling에 따라서 Gate length가 줄어들고, Sourfe와 Drain 사이의 거리도 가까워져서 구동전압이 인가되면, Source와 Drain 사이에서 터널링에 의한 채널 누설 전류가 발생한다. 따라서 채널 누설 전류를 줄이기 위해, 게이트 산화물의 두께를 감소시켜야 하는데, 감소됨에 따라서 게이트에서 발생하는 게이트 누설이 증가하여 소자 동작에 좋지 않은 영향을 준다. 따라서 게이트 산화물에서 누설전류를 감소시키며, 채널 형성을 잘 시키기 위해서 High-K 물질을 이용한다. High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 SiO_2와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1]

참고 자료

http://blog.daum.net/21th_vision/7083677
http://web.yonsei.ac.kr/tfml/Dielectric.htm
반도체소자공학 발표 자료
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=4790&m_search=MOS
https://koodev.wordpress.com/2016/01/11/sram%EA%B3%BCdram%ED%95%98%EB%93%9C%EC%9B%A8%EC%96%B4%EC%9D%B4%ED%95%B4/
http://www.hwlab.com/lecture.php?code=394
http://www.rohm.co.kr/web/korea/memory_what2