MOSFET(NMOS, PMOS) 전기적 특성

소개글

"MOSFET(NMOS, PMOS) 전기적 특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 결과
2. 고찰
3. 실험날짜
4. 실험제목
5. 예비이론
6. 출처

본문내용

2. 고찰
BJT의 베이스에 동작전압만큼의 전압을 인가하기 전에는 내부에 전류가 흐르지 않으므로 Vout의 노드는 Vcc와 같게 되고 5V 정도 전압값이 측정됐다. 그리고 Vbb값을 올리면 BJT가 on되고 내부에 전류가 흘러 Vout값은 급격히 감소하다가 0값에 가까워 진다.

<중 략>

4. 실험제목 : MOSFET 물성 특성 확인
5. 예비이론 :
PMOS는 N-type 기판에 P-type으로 드레인과 소스를 도핑해서 게이트에 (-)전압이 인가될 때 P-chennel이 형성되어 PMOS라고 불린다. 게이트에 (-)전압이 인가되면 처음에 소스와 드레인 사이에 공핍층이 형성되고 일정 전압 이상 인가되면 소스와 드레인 사이에 P-type 정공층이 생긴다. 기판내 정공들이 채널을 형성하면 전하가 움직일 수 있는 통로가 형성되는 것과 같아서 소스와 드레인 사이로 전하가 이동하고 전류가 흐르게 된다.

참고 자료

https://electricalstudy.sarutech.com/mosfet-working-principle-of-p-channel-n-channel-mosfet/index.html:
Pinch off : https://www.quora.com/What-is-pinch-off-effect-of-MOSFET
Transfer curve & Output curve : https://www.electrical4u.com/mosfet-characteristics/