공통게이트 및 공통드레인 증폭회로

소개글

ch13. 공통게이트 및 공통드레인 증폭회로

예비, 결과 포함하고 있으며 100점 받았습니다.
실험 이론, 오차 원인, 진행 과정 등 상세하게 설명하고 있으며 교수님이 사진을 좋아하지 않으셔서 대부분 표와 그래프를 통해 나타냈습니다.

목차

1. 실험 진행 주의사항

2. MOSFET 증폭기 – 실험 결과 참고
A. 공통게이트 증폭회로
1) 실험 결과 (N channel)
2) 실험 결과 (P channel)
3) 공통게이트증폭기와 공통베이스증폭기 비교
B. 공통드레인 증폭회로
1) 실험 결과(N channel)
2) 실험 결과(P channel)

3. 설계 문제
1) 공통게이트 증폭기
2) 공통드레인 증폭기

4. 결과 및 고찰 정리

본문내용

1. 지금까지의 실험 결과를 바탕으로 Mosfet 사용시 전압 이득이 낮고 전류 용량이 BJT에 비해 작아 powersupply 전류 limit을 50mA로 걸어주고 실험을 진행했지만 동작 해석이 간단하며 전압을 사용하여 전류를 조절하기 때문에 시뮬레이션과 비슷한 수치를 얻을 수 있어 작은 전류를 사용한 실험 시 BJT에 비해 사용이 편리할 것으로 예상된다.

2. BJT의 경우 전류에 의해 제어되어 early effect에 의해 시뮬레이션과 실제 전압 이득이 차이를 보였던 반면 FET는 전압에 의해 제어되어 BJT에 비해 채널 길이 변조 현상이 관찰되었음에도 불구하고 계산과 시뮬레이션 결과가 비슷하게 나온 것을 확인 할 수 있었다.

3. 이번 실험에서 사용한 공통 게이트 증폭기의 경우 너무 작은 저항을 사용하여 파형발생기의 내부 저항 뿐 아니라 주변기기가 내포한 저항이 인식되어 인가한 입력전압보다 감소한 형태의 전압이 측정되었다. 이로 인해 노이즈에 취약해져 커패시터를 사용하여 노이즈를 걸러 주어야 했다. 이는 실제 다단 증폭기 설계 시 사용이 불편할 것으로 예상되며 저항을 키워 이와 같은 일을 방지해야 한다.

참고 자료

없음