전자회로실험 MOSFET의 특성 실험 예비레포트

소개글

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목차

1. 실험 목적

2. 실험 원리
(1) MOSFET의 구조와 특성
(2) 공핍형 MOSFET (D-MOSFET)
(3) 증가형 MOSFET (E-MOSFET)
(4) 공핍형 MOSFET의 전달특성곡선
(5) 증가형 MOSFET의 전달특성곡선

3. 시뮬레이션 과정 및 결과

4. 실험기기 및 부품

본문내용

1. 실험 목적

MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다

2. 실험 원리

(1) MOSFET의 구조와 특성

금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터는 게이트가 산화 실리콘(Sio2)층에 채널과 격리된 점이 JFET와 다르며 게이트가 격리되어 있으므로 이들 소자를 종종 IGFET라고 부르며 공핍형과 증가형의 두 종류가 있다

(2) 공핍형 MOSFET (D-MOSFET)

공핍형 MOSFET은 2가지 모드 (공핍모드 및 증가모드) 중 어느 하나로 동작될 수 있고, 게이트는 채널과 격리되어 양(+)의 게이트 전압이나 음(-)의 게이트 전압을 모두 인가할 수 있다

1)공핍모드
음의 게이트-소스전압이 인가되면 공핍형 MOSFET은 공핍모드로 동작된다
게이트의 음전압을 크게 할수록 채널의 전도전자는 더욱 줄어들어 드레인 전류가 점점 감소하며 V_{ GS}=V_{ GS(off)}이면 드레인 전류는 흐르지 않는다

2)증가모드
양의 게이트-소스전압이 인가되면 공핍형 MOSFET은 증가모드로 동작된다
게이트의 양전하는 채널로 더 많은 전도전자를 잡아 댕겨 채널의 전도도가 증가하게 된다
게이트에 인가하는 양전압을 크게 할수록 채널의 전도도가 더욱 커져 드레인 전류가 증가한다

참고 자료

없음