(전자회로실험)BJT 기본 특성 레포트

목차

1. 실험 주제 및 목적
2. 실험 이론
3. 실험 과정
4. 예비 보고 사항

본문내용

1. 실험 주제 및 목적
바이폴라 접합 트랜지스터는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 지니고 있으므로, 증폭기로 사용 될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.

2. 실험 이론
가) BJT구조
BJT는 p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다.
npn형 BJT의 이미터 영역은 n형, 베이스 영역은 p형, 컬렉터 영역은 n형으로 구성되어 있으며, pnp형 BJT의 이미터 영역은 p형, 베이스 영역은 n형, 컬렉터 영역은 p형으로 구성되 어있다. 각각의 BJT는 다음과 같은 기호로 나타낼 수 있다.

나) npn형 BJT
npn형 BJT는 베이스와 이미터, 베이스와 컬렉터 사이에 PN접합이 존재하므로, PN접합의 동작 영역에 따라서 BJT의 동작 영역이 결정된다. 다음의 표는 npn형 BJT의 동작 영역을 나타내는 표이다. 다음 그림은 npn형 BJT가 능동 영역일 때의 전류의 흐름을 보여준다. 이미터로부터 주입된 전자는 EBJ를 지나면서 베이스 영역의 홀과 재결합하면서 공핍영역을 형성한다. 베이스 영역에서 전자의 농도 분포에 의해서 확산 전류가 흐르게 되고, CBJ에 역방향 바이어스가 인가되면 베이스 영역에서의 전자가 컬렉터로 이동하면서 컬렉터 전류 IC를 형성하게 된다. 또한 베이스에서 주입되는 홀에 의한 전류 성분 IB1과 이미터에서 베이스로 확산되는 전자들이 베이스 영역에서 재결합함으로써 발생하는 전류 성분 IB2에 의해서 베이스 전류 IB가 흐르게 된다. 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB의 합이 이미터 전류 IE가 된다.

참고 자료

없음