[반도체 제조공정] 반도체 제조공정

소개글

반도체 제조공정 실험을 하면서 열심히 준비한 자료들입니다. 반도체관련 자료를 원하시는 분들에게 많은 도움되었으면 좋겠습니다...........

목차

1.실험목적
2.실험방법
3.이론적배경
4.결과

본문내용

Photolithography(사진공정)
1. 시편준비
2. HMDS(Hexamethyldisilazane)prime
분자식은 (CH₃)₃Si-NH-Si(CH₃)₃로서 Si 기판 위의 결합되어 있는 산소(O)와 화학적 반응을 하여 기판과 Photoresist간에 접착력을 향상시키는 공정이다.
→ 이번 실험에서는 생략되었음.
3. PR(photo resist) coating
Spin 방식에 의하여 photoresist를 균일하게 도포하는 공정이다.
준비된 웨이퍼를 PR spin coater 위에 놓고 진공을 잡은 후 1step, 2step의 PR coating을 5초와 35초에 걸쳐 실시한다. (1step : 500rpm, 2step : 3500rpm)
→PR 도포에 있어 spin coater의 rpm과 PR의 두께는 반비례 관계로 rpm이 빠를수록 PR의 두께가 얇다.
4. soft baking
용제를 증발시켜 PR을 건조시키고 웨이퍼와의 접착력을 향상시키면 baking시 열에 의한 응력완화를 목적으로 하는 soft baking을 85℃에서 1분동안의 조건으로 baking한다.
5. 노광
PR이 도포된 웨이퍼를 contact aligner에 loading 시킨 후 현미경으로 마스크와의 초점을 맞춰 aligner의 UV로 PR에 노출시킨다.
→마스크의 pattern을 그대로 PR에 옮기는 과정
노광시간은 8초이다. 만약에 노광시간이 5초정도로 적게 되면 PR이 젤상태로 되어 현상시 전부 제거가 되게 된다. 그리고 노광시간이 12초정도로 너무 길게 되면 불필요한 부분까지 남는 문제가 발생하므로 시간을 엄격히 준수해야 좋은 실험 결과가 나온다.
6. 현상(Development)
PR이 도포된 웨이퍼 표면에서 제거되어야 할 부분에 존재하는 감광된 PR을 제거한다.
PR의 종류 : Positive PR = 노광된 PR이 현상시 제거.
Negative PR = 노광된 PR이 현상시 남음.

참고 자료

없음