[비휘발성 메모리] 비휘발성 메모리중 FRAM과 MRAM의 비교

목차

1. FRAM소자
(1) 기본원리
(2) 구조
(3) FRAM 소자의 장점과 단점

2. MRAM
(1) MRAM의 기본 원리
(2) 구조
(3) MRAM의 장점과 단점

본문내용

1. FRAM소자- FRAM(ferroelectric random access memory)은 차세대 기억소자 중 하나로서 DRAM과
달리 전원이 제거되어도 정보가 저장되는 반도체 소자

(1) 기본원리
- 분극반전이 가능한 강유전체의 특성을 이용하여, (+)분극과 (-)분극을 각각 0, 1로 인식하므로써 이진법을 이용한 신호처리가 가능
- FRAM에 이용되는 강유전체 박막이 가져야 하는 특성
: 큰 잔류 분극, 작은 누설전류, 구동전압을 낮추기 위한 낮은 항전계, 600℃ 이하의 공정온도 → 현재까지는 PZT 박막이 가장 적합함.
(2) 구조
- 기존의 1T-1C형 구조에서 유전체박막을 대체한 분극반전형 소자가 주류
- Capacitor에 (+), (-) 두 방향의 전계인가시 다르게 나타나는 잔류분극을 각각 1, 0으로 코드화하여 2진법의 컴퓨터 논리 회로에 사용
- 데이터를 읽는 과정에서 기존의 분극이 제거되므로 정보를 보존하기 위해서는 곧바로 전계를 인가하여 정보를 재기록하여야 하므로 구동가능회수를 줄어든다는 단점.

참고 자료

없음