[공학]나노임프린터 공정과 연구동향
- 최초 등록일
- 2006.09.21
- 최종 저작일
- 2006.09
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소개글
나노임프린터 공정에 대해 자세히 그림과 함께 정리해 놓은 자료입니다.
또한, 그 연구동향도 정리했습니다.
많은 도움 되길 바랍니다.
목차
● 나노 기술 (Nano Technology)
● 나노기술의 등장
● 나노기술과 정보저장
● 나노연구 방향
● 지금까지의 나노프린팅에 대한 여러 연구 동향
● 나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint lithography, NIL)
● 몰드-어시스티드 리소그래피 (Mold-Assisted Lithography, MAL)
● 스텝-앤-플래시 임프린트 리소그래피
(Step-and-Flash Imprint Lithography, SFIL)
본문내용
나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint lithography, NIL) 기술은 경제적이고도 효과적으로 나노구조물을 제작할 수 있는 기술로, 나노구조물(nanostructute)이 각인된 스탬프(stamp)를 기재(substrate) 위에 스핀코팅(spin-coating) 또는 디스펜싱(dispensing)된 레지스트(resist)의 표면에 눌러 나노구조물을 전사하는 기술이다. 2003년 international technology roadmap for semiconductors(ITRS)에는 NIL기술이 신규로 추가되었는데 이는 extreme ultraviolet lithography(EUV), mask-less lithography(ML2)와 더불어 차세대 리소그래피로서의 가능성을 인정받았음을 의미한다.
NIL공정은 1995년 프린스턴대학의 Chou 교수가 최초로 제안했다. Chou 교수가 제안한 NIL에서는 나노크기의 패턴이 부조(요철)형태로 형성된 스탬프로 poly(methylmethacrylate) (PMMA) 재질의 레지스트가 코팅되어 있는 기판 표면을 유리전이온도 이상의 고온조건인 140-180oC에서 고압으로 누른 후 100oC 이하로 냉각시켜 분리하게 된다. 이에 따라 레지스트에는 스탬프의 나노패턴이 반대형상으로 전사되고, 이방성 에칭작업을 거쳐 레지스트 표면에서 눌려진 부분 즉, 잔여층
(residual layer)을 제거한다. 이어, Ti와 Au를 기재 전체 면적에 고르게 증착한 후 리프트 오프(lift-off) 공정을 통해 PMMA와 PMMA 위에 증착된 Ti와 Au층을 제거한다. Chou교수는 이 공정을 사용하여 10 nm 지름의 원형 금속 점 배열을 구현하는데 성공했다.
참고 자료
없음