EDS (EDX or EDAX)

소개글

EDS(Energy Dispersive Spectroscopy)

목차

EDS란

EDS 구성

EDS 검출기의 구조

EDS 검출 원리

EDS 분석

EDS의 특성

본문내용

EDS란?
- Energy의 함수로 특성 X-선을 검출
- X-선의 검출에 주로 Si(Li) 또는 Ge 반도체소자를 사용
- 특성 X-선의 검출에 가장 널리 이용
EDS (Energy Dispersive Spectroscopy)
EDS의 작업조건
- 시편의 working distance를 확인 (장비마다 고정값 있음)
- 적정 전류값을 얻기 위해 충분히 큰 조리개를 선정(약 30% dead time)
- 임계여기전압의 2~3배 정도의 가속전압을 선택
- MCA 변수들의 설정
표시범위를 가속전압 범위로 설정
빔 전류의 조절 → input count rate → dead time 조절
프로세싱 시간의 조절
EDS 의 주요구성
Detector
- Si(Li) X-ray detector
- intrinsic Ge (IG) detector
Plus-processing electronics
MCA display
EDS 검출기의 구조
EDS 검출기의 구조
Si(Li) X-ray detector
p형 Si 단결정에 Li을 확산
p-i-n 구조 :
i형은 Li 양이 일정한 intrinsic 영역
n형은 Li 양이 과다한 영역
(+)극 : n형, Al 전극에 연결, 전류펄스의 전달
(-)극 : p형, gold coating(~20nm), 바이어스 부과
EDS 검출기의 구조
Si(Li) X-ray detector
FET(Field Effect ransitor)
검출기의 냉각(cold inger)
Window
EDS검출기의 Window
Be window

참고 자료

없음