GaN LED의 이해와 반도체 소자 특성 측정장비의 이해

소개글

GaN LED의 이해와 반도체 소자 특성 측정장비의 이해

목차

1. GaN LED의 활용
2. Photoluminescence (PL)
3. Spectroscopic Ellipsometer
4. Electroluminescence Spectrophotometer
5. Atomic Force Micrometer
6. HRXRD (High resolution XRD)
7. X-Ray Photoelectron Spectroscopy

본문내용

1. GaN LED의 활용
LED는 발광다이오드 반도체로서 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기신호를 보내어 빛을 발산시키는 장비로서 다양한 용도로 사용할 수 있습니다. 처음에 개발된 LED는 총천연색을 모두 구현하지 못했지만 GaN LED, 청색 LED가 발견된 후에는 각종 생활용품등에서 자주 볼 수 있게 되었는데 천연색 대형 전광판, 각종 디스플레이용 BackLight, 교통 신호등, 자동차 계기판, 항만, 공항, 빌딩등의 유도등과 같은 다양한 곳에서 이용되고 있습니다.
2. Photoluminescence (PL)
-Luminescence란, 원자, 분자 고분자 및 결정체에 외부에너지를 가하여 줌으로서 그 물질 내의 고유한 전자 상태간의 전이에 의해 흡수된 에너지를 빛 에너지 형태로 방출하면서 원래의 평형상태로 되돌아 가는 일련의 물리적 현상을 말합니다. 즉 전자를 여기시키는 외부에너지의 종류에 따라 구분되는데, PL은 laser와 같은 단색광의 photon에너지를 이용한 luminescence의 한 종류입니다
3. Spectroscopic Ellipsometer
단색광을 물질에 쬐일 때 그 물질 고유의 파장으로 발광하는 현상을 이용하여 물질의 특성 및 구성요소를 파악하는 물리 화학분석의 중요한 장치입니다.

주요규격 및 특징

1. Focal Length : 150 mm
* Aperture : f/4
* Dispersion : 5 nm/mm
* Accuracy : ± 0.25 nm
* ICCD chip format : 1024 x 256 pixel
* Dynamic range : 16 bit
* Gen II image intensifier
2. Lamp power : 500W
* Rear reflector adjustable type
* Condenser with 2 quartz lenses
* Current regulation

참고 자료

없음