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"ZnO" 검색결과 201-220 / 1,267건

  • 워드파일 [반도체] rf 마그네틱 스퍼터링으로 증착된 Zno의 온도에 따른 변형거동
    RF Magnetic Sputterring에 의해 증착된 ZnO-AL박막의 증착온도 변화에 따른 변형거동 관찰 1. 결과 및 고찰. ... 결론 RF Magneic sputter를 사용해 Al이 도핑된 ZnO박막의 기판온도를 달리하여 증착시켜 다음과 같은 결론을 얻었다. ... 다른 공정조건을 갖게 하고 기판의 온도를 변수로 하였을 때, 기판의 온도가 RT에서 250℃로 증가할수록 증착된 ZnO-Al 박막의 결정화도가 증가하였다.
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.01.13
  • 파워포인트파일 나노 와이어, 발전기, 나노 발전기, BaTio3, ZnO, Nano Wire Generator PPT 자료
    ZnO Properties  semiconductor + piezoelectricity mechanical energy  generate electricity.
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.17
  • 한글파일 (기출) 나노시스템 과학 기말고사 기출문제
    ZnO, TiO2,의 특성과 응용분야를 적으시오. - ZnO nanoparticle이 빛과의 상호작용이 잘하고 특정 UV에서 흡수를 잘한다. ... 이 nanoparticle을 이용하여 sunblock으로 만들어 활용할 수 있고 ZnO와 유독가스가 반응하여 유독가스를 검출할 수 있다. - TiO2의 형태에 따라 성질이 다른데,
    시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.28
  • 한글파일 재료공학실험 세라믹 예비 [A+ 레포트]
    ZnO, GaN, hexagonal ZnS 등의 반도체가 이 구조를 갖는다. (2) Properties ZnO는 3.3 eV의 직접천이형 wide 밴드갭을 갖는ㄷ II-VI족 화합물 ... 하지만 결정성장 과정에서 defect에 의해 생성되는 background carrier concentration은 ZnO의 p-형 dopant와 보상효과를 일으켜 p-형 ZnO박막의 ... 또한 Al, Ga, In과 같이 III족 원소를 도핑함으로써 쉽게 n-형의 ZnO 박막을 성장시킬 수 있다.
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01
  • 한글파일 산화아연의 소결, 미세구조 관찰 및 경도 분석 예비 [A+ 레포트]
    ZnO, GaN, hexagonal ZnS 등의 반도체가 이 구조를 갖는다. (2) Properties ZnO는 3.3 eV의 직접천이형 wide 밴드갭을 갖는ㄷ II-VI족 화합물 ... 하지만 결정성장 과정에서 defect에 의해 생성되는 background carrier concentration은 ZnO의 p-형 dopant와 보상효과를 일으켜 p-형 ZnO박막의 ... 또한 Al, Ga, In과 같이 III족 원소를 도핑함으로써 쉽게 n-형의 ZnO 박막을 성장시킬 수 있다.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01
  • 파일확장자 [분석화학 실험레포트] 산화아연 중 아연의 정량
    실험방법1) ZnO 용액 제조① ZnO 약 0.15g을 비커에 취한다.② 6N HCl 3ml와 소량의 증류수를 가해 용해시킨다.③ 500ml 부피플라스크로 옮겨 담은 후 표선까지 채운다 ... .2) 아연 정량① 제조한 ZnO 용액 25.00ml를 비커에 취한다.② 증류수를 가해 전량을 약 100ml로 한다.
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.25
  • 워드파일 유기태양전지 실험 보고서
    실험방법 -Spin-coating of ZnO NPs 1) ZnO NPs (in propanol) 을 0.45um만큼 필터링한다. ... Explain the ZnO sol-gel process. [Fig. 12] 은 sol-gel 법으로 ZnO 박막을 제조하는 공정을 개략적으로 나타낸 것이다. ... 특히, In doped ZnO 의 경우 전하 이동도 및 전도도가 높아서 태양전지 소자의 단락전류밀도 (Jsc)를 크게 증가시키고, Ga doped ZnO는 박막이 고르게 형성되고 소자의
    리포트 | 15페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.10.11 | 수정일 2022.01.26
  • 워드파일 Transparent Display에 적용될 수 있는 다양한 기술 논문 정리(한글)
    Nano 결정질의 ZnO 또는 비정질 IGZO(In-Ga-Zn-O)를 기반으로 하는 장치는 상온에서 유연한 플라스틱 기판에서도 제조 될 수 있다. ... 일반적으로, PLD 공정의 타겟은 냉각 프레싱에 이어, ZnO 및 SnO2 분말의 혼합물을 1100 ℃에서 12 시간 동안 산소 분위기에서 원하는 몰 비의 Zn 및 Sn으로 소결함으로써 ... 플라즈마 파라미터는 2x10-4mbar 압력과4sccm의 산소 유량에서 250W이다. [1] x=0.64와 (ZnO)x(SnO2)1-x 의 조성을 갖는 채널 반도체 및 그 비정질 구조는
    리포트 | 12페이지 | 3,900원 | 등록일 2021.11.08
  • 한글파일 [고분자공학실험및설계] OMO 구조에서 상하부 층의 두께 변화에 따른 유연투명전극 연구
    Soc., Vol. 25, No. 2, P.31-P.34 (2018) [2] Optimization of ZnO/Ag/ZnO Transparent Conductive Electrodes ... Reference [1] Aluminum based ZnO/Al/ZnO flexible Transparent Electrodes Fabricated by Magnetron sputtering ... 그 외 오차 : 시료/재료, 기기, 실험 환경 등 => MoO _{3} 대신 ZnO, N _{} `iO / Al 대신 Ag 등 사용하여 실험 진행 [2] 공초점 주사 레이저 현미경
    리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.21
  • 워드파일 PLD Alq3 결과보고서
    Alq3 thin films by PLD Laser ablation 방법으로 ZnO nanoparticle을 만든다. ... Formation of ZnO nanoparticles by laser ablation and Alq3 thin films by PLD ... Subject Object Date&Section Result & Discussion Formation of ZnO nanoparticles by laser ablation and
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.01
  • 한글파일 신소재프로젝트3 광전자 A+ 예비레포트
    약 50 nm, 알루미늄 도핑된 ZnO 또는 붕소 도핑된 ZnO 투명O 2차 증착 후 2차 Mechanical Scribing(P2), ZnO 증착후 3차 Mechanical Scribing ... 전극으로 사용되는 Mo층이 0.5-1 μm, 광흡수층으로 사용되는 CZT(S,Se)층이 1-2 μm, 버퍼층으로 사용되는 CdS층이 50-100 nm, 윈도우층으로는 도핑되지 않은 ZnO층이
    리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07
  • 워드파일 나노화학실험 ED(Electrodeposition) 예비보고서
    실험목적 : Electrodeposition으로부터 ZnO nanorod를 성장시켜 그 메커니즘을 알아보고, 변수조절을 통하여 성장된 ZnO nanorod의 변화를 관찰해본다. 3. ... 따라서 ZnO의 녹색 발광은 N이 부족한 GaN의 경우 흔히 관찰되는 황색 발광과 유사한 특성을 갖는다. [8] ZnO의 전기화학적 합성법(전압/시간/온도의 변화) -정전류법 : 한가지 ... ZnO의 녹색 및 오렌지색 발광은 각각 산소 공공 및 Zn 침입형 주개 준위에서 받개 준위로의 주개-받개(donor-acceptor, D-A)전이로 알려지고 있다.
    리포트 | 13페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.06.30 | 수정일 2020.07.05
  • 한글파일 [물리학과][진공 및 박막실험]진공의 형성과 RF Sputter를 이용한 ITO 박막 증착 결과 보고서
    그 방법의 하나로 ITO의 조성 성분비를 변화시켜 화학으로 안정하면서 기도도와 투과율이 우수한 In2O3-ZnO(IZO) 는 Al2O3-ZnO(AZO), Ga2O3-ZnO(GZO)등 ... 한, ZnO계 박막은 외선 가시선 역에서의 투과성 및 전기 전도성과 플라즈마에 한 내구성이 우수하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하고 원료 가격이 저렴하여 ITO 투명 도성 박막을 체할
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23
  • 한글파일 2018 아주대 결정구조학 기말고사 복원본
    Zn ^{2+}이온이 interstitial sites로 이동하여 ZnO가 n형 반도체가 되는 결함식으로 표기하시오. ( ZnO`` -> Zn _{i}^{2+} + {1} over
    시험자료 | 2페이지 | 7,000원 | 등록일 2019.06.13
  • 워드파일 반도체공학실험 보고서(Germanosilicate glasses containing PbSe quantum dots for mid-infrared luminescence)
    Experimental procedures (1) Weighing [GeO2-(50-)SiO2-5Al2O3-25Na2CO3-10BaCO3-8.2ZnO-1.2ZnSe-0.6PbO]의 ... . (2) Mixing for 12hrs Weighing을 한 시료에 Zirconia ball(ZnO2)을 넣어준 후 12시간동안 milling하여 섞어준다. (3) Melting ... 따라서 오른쪽 그림과 같은 Glass composition[50SiO2-5Al2O3-25Na2CO3-10BaCO3-8.2ZnO-1.2ZnSe-0.6PbO]에 따른 시료를 준비하여 weighing했다
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.12
  • 한글파일 투명전극 예비보고서 [A+ 레포트]
    ZnO는 Indium의 공급 부족현상, 높은 가격으로 인해 ITO의 대체물질로 투명전극으로 활용되어지고 있다. ... 투명 전극의 종류 투명전극의 종류로는 크게 산화물 투명전극과 비산화물 투명전극으로 분류할 수 있으며 산화전극에는 ITO, ZnO, SnO2 가 주로 사용된다. ... ZnO를 base로 하는 산화물은 적외선 및 가시광선 영역에서의 투광성과 전기 전도성이 우수하며, 낮은 원료가격, 풍부함, 무해함 등의 장점을 가지고 있다.
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01
  • 파워포인트파일 촉매 형태 종류
    sintering : activity CO+H 2 O - CO 2 +H 2 Low temperature carbon monoxide shift 200 ~ 250 ℃ , 30bar Cu/ ZnO ... Afandizadeh , E) : pressure drop, activity CO + 2H 2 - CH 3 OH Methanol synthesis 200-300 ℃ , 50-100bar Cu/ ZnO
    리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.06.14
  • 파워포인트파일 초임계 CO2유체를 이용한LiFePO4 의 합성 설계
    N2(l) Fe2O3 + FeO , ZnO 2. ... 출발물질의 선택 LiOH H3PO4 Fe(NO3)3 Fe HNO3 + + + LiFePO4 ※폐차로부터 Fe 분리추출 LiFePO4 합성 설계 무기합성화학 폐차 Fe2O3 FeO ZnO
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.06.05
  • 한글파일 2021 봄학기 생명화학공학과 카이스트 대학원 자소서
    또한, 팀 프로젝트를 통해 ZnO 나노코팅을 통한 자가세정필름 개선방안을 발표했습니다. 2.
    자기소개서 | 3페이지 | 8,000원 | 등록일 2020.11.20
  • 한글파일 A+화학레포트(나노입자의 합성)
    -나노화학이 활발히 연구된 응용 분야 중 하나인 자외선 차단제는 간단한 피부 보호 제품으로 산화 아연(ZnO)이나 이산화 타이타늄(TiO2) 나노 입자가 포함되어 있다.
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.27 | 수정일 2021.01.03
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2024년 06월 11일 화요일
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