"silicide" 검색결과 61-80 / 100건

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  반도체 제조 공정의 종류와 기법 서술

  그 후 TiN 어닐(anneal)을 통해 실리콘 표면에 Ti 실리사이데이션 silicidation)을 형성하고 TiN 디펙트(defect)를 감소해서 다음 공정으로 W plug를 CVD

  리포트 | 17페이지 | 4,500원 | 등록일 2015.06.09

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  WSi2 word-line 및 bit-line용 spacer-Si3N4 박막의 증착

  한국재료학회 안승준, 김대욱, 김종해, 안성준, 김영정, 김호섭

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

  Cu 확산으로 인해 생기는 silicide는 Cu 박막의 성장을 방해하고, 전기적 특성을 저하시키게 된다. ... 즉, Si와 반응해 silicide를 형성하면서 상대적으로 원소가 줄어들었을 것이다. 그로인해 저항이 증가한 것이다. ... 즉, 온도가 증가함에 따라 Cu와 Si가 반응해 silicide를 형성하여 비저항이 증가한 것이다. 위 그림은 Cu 배선을 그린 것이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.25

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  ITRS

  그러므로 이 로드맵은 도구와 재료, 뿐만 아니라 초기 실리콘 웨이퍼 기판의 단위, 집적공정과 접촉silicidation 공정을 통한 확장을 내포한다. ... SCOPE Fornt End Process Roadmap은 scaled MOSFETs, DRAM storage capacitor, Flash와 ferroelectirc ... -Flash memory interpoly와 터널 oxide 두께의 scaling을 더 함 -FeRAM 저장 셀 scailing -새로운 메모리 타입과 저장 개념의 도입(호보- 2010년

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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  스퍼터링으로 제조된 니켈실리사이드의 미세구조 및 물성 연구

  한국재료학회 안영숙, 송오성, 이진우

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 입문교제(Metal)

  AL의 Grain size는 0.5 ~ 1.0 ㎛ 정도로 형성된다. 2) Surfaclicide) Gate 형성후, Polysilicon과 Metal silicide(WSi2, TaSi2 ... 이와 같이 patterning 공정 이 필요없는 silicide 방식을 Salicide라고 한다. [ Salicide 공정 진행 절차 ] METAL 공정 ♣ 용어 해설 1. ... 표면의 자연 산화막 제거 ② Ti 380Å or 460 Å Sputtering ☞ 17.7 ohm/sq ③ Silicide Form by RTP of 750 C, 30 sec (C

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  화학공학실험 Sol gel법에 SiO2제조 예비보고서입니다

  염기성 촉매작용 염기성 촉매에 의한 응축반응에서 가장 널리 받아들여지는 작용은 중성의 silicid acid에 대한 탈수소화된 silanol의 친핵체 반응이다. ... 졸-겔 과정(sol-gel process)은 이름이 의미하는 것처럼 콜로이드 부유상태(졸:sol)를 만들고, 이 졸의 젤화 과정을 통해 액체상의 망상조직(겔:gel)으로 변화시켜 무기질 ... 가장 염기화된 silanol 종류(monomer 또는 작은 크기의 중합체)가 가장 잘 수소화될 것이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.22

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  금속화공정

  알루미늄이외의 금속 재료(silicides) 반도체 칩이 점점 고집적화 됨에 따라서 multi-level metalization 공정의 도입은 상용화되었으며, 이 공정의 진행에 따른 ... 이 결과 열적 안정성이 우수한 금속 silicide가 사용되기 시작하였으며, 이들은 실리콘과의 접촉부위뿐 아니라 소자간의 연결(interconnection)재료로도 사용이 되어 지고 ... Al-Si의 반응(Junction spiking) Junction spiking은 실리콘이 알루미늄에 녹을수 있기 때문에 생기게 된다.

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.22

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  반도체공정-유전체증착

  plasma nitride 를 성장 시킬 때 - plasma enhanced CVD (PECVD) 공정 - interconnection 과 contact 을 위해 metal 과 metal silicide ... 화학증착 ( CVD ) CVD - gas 상태의 재료를 화학 반응에 의해 기판 (substrate) 위에 안정한 상태의 층 (layer) or 막 (film) 으로 성장 ( 증착 ) ... - 대량의 제품을 코팅시에 각각의 막의 두께가 다를 공산이 크며 대량생산 시 고진공을 요하기 때문에 경제성이 떨어짐 스퍼터링 거의 모든 종류의 박막을 양호하게 코팅 할 수 있고 step

  리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.05.19

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Advanced semiconductor의 요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungsten silicon oxide, metal silicides 및 other coatings ... Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD 2. ... MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000℃까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식 저항성에 두드러진 향상을 나타낸다. 5.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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  다층 박막 분석 및 평가

  -Titanium Silicide의 형성 시 multi layer의 수가 silicide의 형성에 미치는 영향에 대해 이해한다. ... E-Beam Evaporator 장점 단점 증착속도가 빠름(50Å/sec 가능) X-ray 발생 고융점 재료의 증착이 가능 e-beam source 위에 농도가 크므로 와류 또는 방전이

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.17

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  지식정보화사회 완벽정리

  si/siGe을 체널로 이용되는 트랜지스터 기술 - SB MOSFET : silicide와 silicon과의 schottky barrier 구조에서 전자이동을 제어하는 트랜지스터기술 ... 기계적 구조물을 형성하기 위한 다양한 공정기술 반도체 나노 소자기술 - SOI MOSFET : SOI를 기판으로 이용한 나노급 트랜지스터 기술 - STRAINED MOSFET : strained

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.09.19

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  2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)

  detector를 위한 칩기술들을 소개 그림 medical imaging실리콘기술 그림 FXD architecture o Annealing, Metrology - 저전력 CMOS기술을 위한 silicide ... Density scaling을 위해 FinFET, Trigate 구조가 22nm에서 도입되고 있음 ? ... Gate-First : Single metal, Dual dielectric stack(with capping layer) for Si channel ?

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07

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  염화코발트 -무기

  염화)의 경우만 제외하고는 원소명 +화를 붙인다. ex) C4- carbide 탄소화 N3- nitride 질소화 O2- oxide 산화 F- flouride 플로오린화 Si4- silicide ... 규소화 P3- phosphide 인화 S2- sulfide 황화 Cl- chloride 염화 Se2- selenide 셀레늄화 Br- bromide 브로민화 I- iodine 요오딘화 ... 실레인 NH3 ammonia 암모니아 PH3 phosphine 포스핀 H2O water 물 H2S hydrogen sulfide 황화수소 ●산, 염기 명명 1) 산의 명명 a.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.10.24

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  불순물 반도체 제조공정

  화학적 세척법은 반도체 소자 내에 증착된 메탈 실리사이드(metal silicide)나 알루미늄 등과 같은 박막의 손상 없이 세척을 하기 위해 반도체 소자 제작자들은 산의 종류나 농도에 ... 주사전자 현미경(scanning electron microscopes:SEM)은 미세한 웨이퍼 표면 오염 분석에 사용되는 기기이다. ... 미립자 오염의 제거는 일반적으로 초음파 세척기(ultrasonic scrubbing)를 이용하거나 고압력 스프레이기를 사용하여 제거한다.

  리포트 | 38페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.03.30

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  Co2Si 증착실험

  또한 metal-rich silicide는 금속원자의 확산이 유리한 경향이 있으므로 metal-rich silicide 성장이 선택된다. 3.실 험 방 법 1)실리콘 웨이퍼를 가져온다 ... 이러한 단점은 다른 고에너지 이온분석법 즉, 중이온 후방산란법(heavy ion backscattering spectrometry) 또는 공명산란법(resonance scattering ... 실리사이드층이 성장하는 율은 dx over dt = {DC_D k_s} over N_D 1 over {D+k_s x(t) } x(t) : 성장하는 실리사이드의 두께 D : 실리사이드층에서

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.21

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  적외선 검출기 (IR DETECTOR, uncooled IR deector)

  arsenide (InAs) photovoltaic detectors 1-3.8 Platinum silicide (PtSi) photovoltaic detectors 1-5 Indium ... S. Yoo, J. M. Kim and H. J. ... 적외선 광메터(IR spectrometer)에서는 온도변화 검출기(pyroelectric detector)가 가장 많이 사용되고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.04.28

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  무기화학 기본이론

  예) C4- carbide 탄소화 N3- nitride 질소화 O2- oxide 산화 F- fluoride 플루오린화 Si4- silicide 규소화 P3- phosphide 인화 ... H2S hydrogen sulfide 황화 수소 3. ... S2- sulfide 황화 Cl- chloride 염화 Se2- selenide 셀레늄화 Br- bromide 브로민화 I- iodide 요오딘화 H- hydride 수소화 2) 삼성분

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.14

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  Sol-Gel법에의한 알파알루미나의 합성

  작용은 중성의 silicid acid에 대한 탈수소화된 silanol의 친핵체 반응이다. ... 다시 말해 sol-gel법이란 “졸겔 세라믹스(sol-gel derived ceramics)"를 제조하는 방법을 말한다. ... [무기공업화학실험#1] 실험 일자 : 2008년 3월 13일 실습과제명 : sol-gel법에 의한 알파 알루미나의 합성과 분석 실험목표 알루미나 sol-gel 합성을 통하여 pH변화에

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.12

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  MOS transistor

  포화 전류의 증가 방법은 silicide growth 및 epitaxial silicon growth 등이 해법으로 고려되고 있다. 그림 4. ... 열평형 상태의 Energy diagram Al (일함수 = acking density는 S2에 비례하고 device 1개당 power는 1/S2에 비례하게 된다. ... 즉 switching time은 불확정성의 원리에 의해 t＞h/ W (＝10 femto-sec＝1×10－14 sec at 1 V)로서 device에 입력이 인가된 후 출력이 발생하는

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.09

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