"Current-Voltage characteristics" 검색결과 101-120 / 1,852건

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  8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서 - [2021년도 전자회로설계실습 A+ 자료]

  (Gate Threshold Voltage와 On-stage Drain Current 이용) Data Sheet를 살펴보면 Threshold voltage, V _{T} =2.1V( ... Voltage, Current display로 확인할 수 있다.) ... 준비물 및 유의사항 Oscilloscope (2 channel) : 1대 DC Power Supply (2 channel) : 1대 DMM : 1대 40cm 잭-집게 연결선(빨강）:

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.15

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  A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계

  Voltage, Current display로 확인할 수 있다.) ... (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current 이용) Data sheet에서 V _{th} =2.1`[rmV] (typical value) 임을 ... R _{1} = {V _{DD} -V _{DS2}} over {I _{REF}} = {10-2.4} over {(10TIMES10 ^{-3} )} =760`[rm ohm ] (C)

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

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  전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3) 교안 다른 분반 1주차~14주차 A+보장 레포트

  하지만 single-stage로 되어있을 때 desired amplifier characteristic을 모두 만족시킬 수 없다. ... 따라서 여러 개의 amplifier를 cascade 연결한 multi-stage amplifier를 통한 amplifier의 이해를 목적으로 한다.B. ... gain과 input impedance, Output impedance를 모두 만족시킬 수 없기 때문에 여러 개의 amplifier를 cascade로 연결해 multi-stage

  리포트 | 3페이지 | 20,000원 | 등록일 2020.12.23 | 수정일 2022.03.22

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  전자전기컴퓨터설계실험1(전전설1) (4) PSpice를 이용한 전기회로의 시뮬레이션

  Simple Voltage/Current (09) 2.2. Voltage Source (10) 2.3. Dependent Voltage Source (11) 3. ... Simple Voltage/Current (11) 3.2. Voltage Source (12) 2.3. Dependent Voltage Source (14) Ⅲ. ... 우선 loop A(12V-2Ω), loop B(2Ω-2Ω-2I0), loop C(2Ω-2I0)라고 하고 각 loop에 흐르는 전류를 Ia, I0, Ib라고 하자(전류의 방향은 시계방향으로

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.08.06 | 수정일 2021.04.29

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  MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서

  Voltage, Current display로 확인할 수 있다.) ... (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current이용) I _{D} `=` {1} over {2} k _{n} prime ( {W} over {L ... 준비물 및 유의사항 DC Power Supply(2channel) 1대 Digital Multimeter (이하 DMM) 1대 Digital Oscilloscope 1대 40cm 잭-집게

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 예비레포트

  (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current이용) Data sheet에서 =4.5V, =600mA, =2.1V 일 때의 수치를 이용하여 =( ... Voltage, Current display로 확인할 수 있다.) ... 0.310 이므로 =2.41V이다. =, 10mA= ==0.518KΩ (B) = = 10mA인 Cascode 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출한다. (=500Ω으로 설계) (C)

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.09 | 수정일 2021.03.12

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  연세대 전기전자공학부 20-1학기 기초아날로그실험 5주차 예비레포트

  [Figure 1-5] V-I characteristic curve of diode The datasheet of 1N914 is as follows. ... [Figure 1-6] 1N914 datasheet [Figure 1-7] Typical characteristics Full-wave rectifier A full-wave rectifier ... The difference in output voltage due to charging and discharging is called ripple voltage.

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.13

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  기초전기실험 결과보고서 DC 13 NORTONS THEOREM AND CURRENT SOURCES, 14 Methods of Analysis

  (c) Measure the voltages and and enter below with a minus sign for any polarity that is opposite to that ... Designing a 1-mA Current Source TABLE 13.1 = 9.936kΩ 10 Ω 47 Ω 100 Ω 220 Ω (measured) 10.15 Ω 46.97 Ω ... Source Conversion (a) (b) Now measure the voltage and again compute .

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23 | 수정일 2020.10.30

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  다이오드 동작 및 회로 실험보고서

  기울기가 작아지는 형태의 I-V그래프가 나올 것이다. - Breakdown Voltage 측정 및 Reverse Current : Breakdown Voltage의 경우에는 PSpice로 ... 이는 다이오드 사이에 있는 depletion layer의 영향으로 생기는 capacitance 효과에 의한 Surge Current 이거나 전에 측정한 전류가 Programming ... Breakdown은 다이오드의 성질을 안다는 사실에 있어 좀 더 알아보았으면 하는 아쉬움이 있다. datasheet에 의하면 continuous reverse voltage가 -75V임으로

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.08

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  [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type->DC Sweep, Sweep variable->Voltage source- ... >Voltage source->VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value->0V, End value->5V, Increment->0.1V] (iD-vGS특성곡선) (C ... 준비물 및 유의사항 DC Power Supply (2channel) : 1대 Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개 40cm

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10

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  MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  준비물 및 유의사항 DC Power Supply(2channel) 1대 Digital Multimeter (이하 DMM) 1대 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) 4개 40cm 잭-집게 ... 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험8

  (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current이용) (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해서 M2의 VGS를 구하여라. ... Voltage, Current display로 확인할 수 있다.) ... 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개 40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개 Breadboard (빵판) : 1개 점퍼 와이어 키트 : 1개 MOSFET : 2N7000 : 4개 저항

  리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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  기초전자회로 및 실험 - BJT 특성

  We will measure the common-emitter () characteristic and the common-base characteristic () of an NPN ... However, we used constant voltage source to generate constant . ... By doing so, we will fully understand the characteristic of BJT and extract the characteristic values

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.26 | 수정일 2021.09.23

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  Latch up in CMOS report

  Fig.1 Cross section of CMOS invertor Fig.2 Lateral NPN Fig.3 Thyristor I-V characteristic curve - Latch ... CMOS 구조에서도 MOSFET에서 나타나는 parasitic bipolar transistor에 의한 비정상적인 drain I-V characteristic이 나타난다. ... threshold voltage를 뺀 값이 된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  MOSFET Characterisitics 10주차 예비보고서

  , Early voltage, Large signal equivalent circuit의 출력저항 를 구한다. 3.3.2 PMOS characteristics 1) 위의 회로를 ZVP2106A을 ... 예상 실험 순서 3.3.1 NMOS characteristics 1) 위의 회로를 2N7000을 이용해 구성한다. 2) R2는 100Ω, V1은 2.5V의 DC신호, V2에 12V를 ... 된다. 3.2.2 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 1) Threshold voltage는 datasheet에 의하면, Min- -1.5V, Max- -3.5V 이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.04 | 수정일 2020.04.23

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  A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V] (C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

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  [화학공학실험] 반경방향 열전도 실험 결과보고서

  실험결과 HT12C 실험 A Heater Control Heater Voltage, V (V) Heater Current, I (A) Q (W) T1(℃) T2(℃) T3(℃) T4 ... 추세선(로그함수)을 이용하는 경우 Heater Voltage, V (V) Heater Current, I (A) Q (W) 추세선 식 To(℃) 55 mm 12.1 1.99 24.1 ... (e) Heater Voltage, V (V) Heater Current, I (A) Q (W) k 실험값 (W/m·K) T1(℃) T6(℃) To(℃) 7 mm 50 mm 55 mm

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.28

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  [태양전지실험] Study of Organic and Inorganic Solar Cells

  Figure 5 shows the I-V characteristic following the above equation. ... The corresponding I-V characteristic is described by the Shockley solar cell equation , where is the ... Figure SEQ Figure \* ARABIC 41 Photo J-V characteristics of the organic solar cells with different active

  리포트 | 40페이지 | 30,000원 | 등록일 2020.11.16

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  [분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계 예비보고서

  (Gate Threshold Voltage와 On-stage Drain Current 이용) 위의 Data Sheet에서 V _{DS} =10V, V _{t} =2.1V(Typical ... 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개 40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개 Breadboard (빵판) : 1개 점퍼 와이어 키트 : 1개 MOSFET:2N7000 : ... 목적 N-Type MOSFET을 이용하여 특정 Reference 전류가 흐를 수 있는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계 및 측정하여,

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30

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  Hall effect 결과보고서

  Current(mA) p-type Hall Voltage (mV, 6mA) 0.08 2.4 0.18 5.5 0.27 8.2 0.36 11.2 0.43 13.3 0.52 16.4 0.6 ... Magnetic field(G) Current(mA) 100 0.08 200 0.18 300 0.27 400 0.36 500 0.43 600 0.52 700 0.6 800 0.68 ... n-type 반도체의 Hall voltage} 이때 Hall voltage 측정 장치의 전압 측정 한계로 인해 n-type 반도체의 Hall voltage은 2900G까지 측정하였다

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.04.05

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