"Atomic layer deposit" 검색결과 121-140 / 166건

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  Solid Phase Epitaxy

  Definition : a special case crystal growth in which a single crystal face grows by the addition of atoms ... 100) Oxide Si(100) Oxide α-Si Si(100) Oxide α-Si Schematic Diagram of Lateral Solid Phase Epitaxy As deposited ... 1st Amorphous layer 1st Crystal layer 2nd Crystal layer Model for the interface of amorphous-crystal

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.09.08

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  플라즈마 생성과 응용

  응용분야 진공 플라즈마 시스템을 이용하는 응용분야로써 일반 반도체 공정에서 사용되는 건식 식각 공정, 증착 공정, 에싱(ashing) 공정, ALD(Atomic Layer Deposition ... 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 증착 (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.29

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  차세대 메모리

  ), 단원자층 화학기상증착(ALCVD: Atomic Layer Chemical Vapor Deposition)등의 공정을 통해 만들어진다. ... 칼코게나이드(GST) 박막은 고진공 하에서 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학기상증착(PECVD: Plasma Enhanced CVD

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  반도체공정 (Deposition & Evaluation)

  Figure 5.1 Cluster는 작은 노즐을 통해서 진공 공간으로 단열 팽창해 나갈 때 super saturated vapor atom의 응축에 의해 형성된다. ... Table 1.1 A classification of the film deposition PVD (physical vapor deposition) CVD (chemical vapor ... Film layer의 위의 표면과 아래 바닥에서 어떻게 반사되는지의 관계를 기초로 해서 reflectometry는 film 두께를 계산할 수 있다.

  리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  [반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산

  반도체에서 원자층 증착 기술(ALD: Atomic Layer Deposition) - 수~수십 nm 두께의 나노 스케일 박막을 일정한 두께로 균일하게 형성하기 위해 원자층 레벨로 물질을

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28

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  SPUTTER

  invasion Bandgap disappear Metallic compound Pin hole Mg-Ag TCO Sputtering (Organic layer degradation ... by heat energy C H Short Short Bandgap disappear Metallic compound Bonding destruction Energetic ITO atom ... Sputter Intro 2009년3월20일 유균경 Thin Film Deposition Chemical Process Physical Process Evaporation Sol-Gel

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  Diffusion

  conditions The const_in step “Dt” Predep step “Dt” = Impurity profile is “ erfc “ Two-step diffusion [ Pre_deposition ... For diffused layers, sheet resistance Rs = the average resistivity of the layer. ... of the desired impurity in silcon surface Drive_in: the impurity atoms move from the surface into the

  리포트 | 36페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  Poly-Si 결정화 방법

  어떤 기판에는 SiO2의 buffer layer를 가지기도 한다. LPCVD와 PECVD의 대표적인 a-Si증착 방법이 있따. ... As deposited된 material은 a-Si 이던지 다결정 실리콘이던지 상관이 없다. ... 저온 다결정 실리콘로는 PECVD로 a-Si을 증착할 경우 많은 양의 Hudrogen atom들을(증착시 기판 온도에 따라 차이가 있으나 대략 20%내왜의 Hydrogen이 포함되어

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.02

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  신의손) 현장실습 결과보고서

  그리고 박막 증착기는 E-beam말고도 ALD(Atomic Layer Deposition)와 스퍼터가 있습니다.

  서식 | 4페이지 | 500원 | 등록일 2014.08.18

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  [공학기술]박막증착 기술보고서<스퍼터링&CVD>

  하지만 CVD 공정에 있어 보다 축소된 범위의 성막 기술로 원차층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD)법을 이용한 성막 공정이 차세대 반도체 소자 제조 공정에

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.14

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  Lithography

  (Etching occurs by physically knocking atoms off the surface of the wafer.) ... as a barrier layer. ... The Photolithographic Process Step of photolithographic process Wafer Preparation/Clean Deposit Barrier

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18

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  반도체 처음부터 끝까지

  TiN, Ta, TaN, Cu –CVD / ALD ( Atomic Layer Deposition ) •W, TiN, Ti(Si)N, Ta, TaN, Cu, WN, TaC, WCN – ... Metallization Ioric •SiO,SiO(C), SiOC, PSG Metallization –PVD ( Physical Vapor Deposition ) •Al, Ti,

  리포트 | 53페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.05.20

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  화학적 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition,CVD) (친절한 설명과 핵심적인 내용을 논문 형식으로 작성)

  그래서 요즘엔 전구체를 사용함에 있어서 CVD와 같은 화합물이 아닌 단원자 상태의 전구체를 사용해 박막을 형성하는 원차층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD)법을 ... 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition) 등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 ... 이러한 박막증착 방법 중에서 무엇보다도 CVD(Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.17

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  SOI와 TFT 기판제작방법

  1018 atoms/cm2)로 이온 주입 시키는 과정과 이온 주입 후에 실 리콘 층의 결정성을 복구하기 위하여 1,300C 정도에서 고온 열처리를 하는 과정으 로 이루어진다. ... Cleaning에는 bare glass를 세정하는 초기세정(initial cleaning), deposition 전후에l ... TFT 기판 제작장법 TFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 증착공정(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

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  introduction of microelectric fabrication(1~4) 정리

  ●Thin films of silicon nitride, silicon dioxide, polysilicon 은 CVD(chemical vapor deposition) ●Metals ... ●impurity atom은 conduction 을 위해 필요하다. ●substitutional diffusion의 속도는 vacancy의 제한으로 인해 상대적으로 느리다. ... -slower growth가 denser하게 만들기 때문에 좋다. wet은 두꺼운 layer를 만들 때 사용한다.

  시험자료 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.14

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  염료감응태양전지의 효율성 증대 (Characteristic Enhancement of Dye-Sensitized Nanoparticle TiO2 Solar Cells)

  On one of these electrodes, a few micron-thick layer of TiO2 is deposited using a colloidal preparation ... To obtain supporting evidence, an electrode is prepared with a 60 nm layer of chemical vapor deposited ... To avoid any contribution from the exposed substrate, a thin layer of insolating polymer was deposited

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.20

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  [공학]기초 반도체 공정

  Silicon 열산화공정 고온(800~1200도)에서 산소나 수증기를 silicon wafer표면에 뿌려 산화막을 형성시키는 공정 2 Ways to Add a Silicon Dioxide Layer ... A plasma can be produced from a gas if enough energy is added to cause the electrically neutral atoms ... of the gas to split into positively and negatively charged atoms and electrons. + + + + + + + + + +

  리포트 | 161페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.30

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  TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허

  또한, CVD의 경우는 박막 형성 온도가 높고 두께를 수 단위로 정밀하게 제어하는 데에는 한계가 있다. 1) 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 원자층증착법

  리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.08

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  [반도체 공정]mocvd

  Atomic Layer CVD (ALCVD) - A CVD process in which two complementary precursors (eg. ... Metal-Organic CVD (MOCVD) Plasma Enhanced CVD (PECVD) Rapid Thermal CVD (RTCVD) Atomic Layer CVD (ALCVD ... depositing thin films of various materials.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.22

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  [mocvd]mocvd(영문 파워포인트)

  Layer Deposition) Carbon impurity Low temperature process Step coverage comparative good MOCVD (Metal ... Device complexity Low temperature process Step coverage good Composition and thickness control good ALD (Atomic ... ) Step coverage bad Low temperature deposition possible Impurities less PVD (Physical Vapor Deposition

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.08

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